CN101447466A 一种芯片的沸腾强化换热结构及其制作方法 （西安交通大学）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200810236502.9

[51]Int.Cl.

HO1L23/367(2006.01)

HO1L23/373(2006.01)HO1L23/44(2006.01)

HO1L21/00(2006.01)HO1L21/311(2006.01)

[43]公开日2009年6月3日[11]公开号CN101447466A

[22]申请日2008.12.26

[21]申请号200810236502.9

[71]申请人西安交通大学

地址710049陕西省西安市咸宁路28号

[72]发明人魏进家薛艳芳方嘉宾高秀峰

袁敏哲

[74]专利代理机构西安通大专利代理有限责任公司

代理人惠文轩

权利要求书1页说明书6页附图2页

[54]发明名称

一种芯片的沸腾强化换热结构及其制作方法

[57]摘要

本发明涉及高热流密度沸腾强化换热技术，特别涉及高热流密度微电子芯片高效冷却技术，具体为一种芯片的沸腾强化换热结构及其制作方法，具体为：在芯片的表面腐蚀出多个柱状结构的凸台，带有凸台的芯片表面溅射有SiO?层，SiO?层腐蚀为多孔结构。本发明中的芯