CN101431143B 制作超导材料的方法 （金属氧化物技术公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN101431143B

(45)授权公告日2012.08.01

(21)申请号200810214422.3

(22)申请日2003.07.23

(30)优先权数据

10/206,9002002.07.26US

(62)分案原申请数据X2003.07.23

(73)专利权人金属氧化物技术公司地址美国得克萨斯

专利权人休斯顿大学

(72)发明人亚历克斯·伊格纳蒂尔弗张欣曾健明刘佳树周鹏初

路易斯·D.·卡斯特拉尼

(74)专利代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038

代理人王永刚

(51)Int.CI.

HO1L39/24(2006.01)

HO1L39/14(2006.01)

HO1B12/06(2006.01)

审查员闫东

权利要求书2页说明书11页附图9页

(54)发明名称

制作超导材料的方法

(57)摘要

CN101431143B本发明公开了一种制作超导材料的方法。本发明的超导线包括基底和原子有序超导材料的连续层。本发明的超导线具有大于10米的长度。根据本发明制作超导材料的方法包括：a.从放线轴以连续的方式分送基底；b.从被导向所述基底的至少一面的反应物气体层流执行化学气相沉积工艺；c.在所述基底上沉积超导材料的连续层，从而形成被覆盖的基底；以及

CN101431143B

CN101431143B权利要求书1/2页

2

1.一种制作超导材料的方法，所述方法包括：

a.从放线轴以连续的方式分送基底；

b.提供至少一种化学沉积材料到位于所述基底上方的分配头；

c.从被从所述分配头导向所述基底的至少一面的反应物气体层流执行化学气相沉积工艺；

d.用紫外或可见光源将所述基底加热到足以允许沉积超导材料的温度，其中所述紫外或可见光源使用反射器将光导向正位于所述分配头下面且位于所述基底的表面上方的反应区上；

e.在所述基底上沉积超导材料的连续层，从而形成被覆盖的基底；以及

f.在卷线轴上收集所述被覆盖的基底。

2.根据权利要求1的方法，其中所述基底选自金属条、金属带或金属线。

3.根据权利要求2的方法，其中所述金属选自镍、银、钯、铂、铜、铝、铁、钨、钽、钒、铬、锡、锌、钼、钛及其合金。

4.根据权利要求1的方法，其中以每分钟从1至20厘米的速度分送所述基底。

5.根据权利要求1的方法，其中所述超导材料的连续层的厚度为0.5至5.0微米。

6.根据权利要求1的方法，其中在步骤e中的在所述基底上沉积超导材料的连续层之前对所述基底进行预处理。

7.根据权利要求1的方法，还包括在步骤a之前使用一种或多种蒸汽、一种或多种机械处理、或者一种或多种液体化学处理、或者其组合来清洁所述基底。

8.根据权利要求1的方法，其中在步骤d中，所述紫外或可见光源产生UV光、可见光或UV光和可见光的组合，其中所述UV光、可见光或UV光和可见光的组合被导向所述反应区。

9.根据权利要求8的方法，其中所述紫外或可见光源选自石英卤素灯、氙放电灯、汞蒸汽灯以及准分子激光器。

10.根据权利要求1的方法，还包括在步骤e中沉积所述超导材料的连续层之前、在步骤e中沉积所述超导材料的连续层之后、或者在步骤e中沉积所述超导材料的连续层之前和之后，沉积至少一个缓冲层到所述基底上。

11.根据权利要求10的方法，其中在沉积所述超导材料的连续层之后，至少一个缓冲层被沉积在所述基底上，该方法还包括在所述缓冲层上沉积至少一个另外的超导材料连续层，从而形成多层结构。

12.根据权利要求10的方法，其中所述至少一个缓冲层的材料选自Ce0、CeO?、Y?O?-ZrO?(YSZ)、Gd?O?、Eu?O?、Yb?O?、Ru0?、(La,Sr)CoO?、Mg0、SiN、BaCeO?、Ni0、SrTiO?和(Ba,Sr)TiO?。

13.根据权利要求1的方法，该方法还包括用密封层覆盖步骤e中的所述超导材料的连续层，其中所述密封层包括选自金属、金属氧化物、聚合物以及电介质的至少一种材料。

14.根据权利要求13的方法，其中所述金属和金属氧化物选自金、银、铜、铝及其氧化物。

15.根据权利要求