CN101477963A 制作绝缘体上硅材料的隔离氧注入方法 （上海新傲科技有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200810204676.7

[51]Int.Cl.

HO1L21/762(2006.01)

HO1L21/265(2006.01)

[43]公开日2009年7月8日[11]公开号CN101477963A

[22]申请日2008.12.16

[21]申请号200810204676.7

[71]申请人上海新傲科技有限公司

地址201821上海市嘉定区普惠路200号

共同申请人中国科学院上海微系统与信息技术

研究所

[72]发明人欧欣张苗王曦

[74]专利代理机构上海翼胜专利商标事务所(普通

合伙)

代理人翟羽

说明书9页附图2页

权利要求书2页

[54]发明名称

制作绝缘体上硅材料的隔离氧注入方法

[57]摘要

S100提供单晶硅衬底S110在单晶硅衬底中注入缺陷引入离子S120在单晶硅衬底中注入氧离子S130对注入缺陷引入离子和氧离子后的单晶硅衬底进行退火处理一种制作绝缘体上硅材料的隔离氧注入方法，包括如下步骤：提供单晶硅衬底；在单晶硅衬底中注入缺陷引入离子；在单晶硅衬底中注入氧离子；对注入缺陷引入离子和氧离子后的单晶硅衬底进行退火处理；所述注入缺陷引入离子的步骤在注入氧离子的步骤之前或者之后实施。注入深度与缺陷引入离子的注入深度相同或靠近。本发明的优点在于，缺陷引入离子注入形成的微空洞可以俘获氧离

S100

提供单晶硅衬底

S110

在单晶硅衬底中注入缺陷引入离子

S120

在单晶硅衬底中注入氧离子

S130

对注入缺陷引入离子和氧离子后的单晶硅衬底进行退火处理

200810204676.7权利要求书第1/2页

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1.一种制作绝缘体上硅材料的隔离氧注入方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供单晶硅衬底；

在单晶硅衬底中注入缺陷引入离子；

在单晶硅衬底中注入氧离子；

对注入缺陷引入离子和氧离子后的单晶硅衬底进行退火处理；

所述注入缺陷引入离子的步骤在注入氧离子的步骤之前或者之后实施，氧离子的注入深度与缺陷引入离子的注入深度相同。

2.根据权利要求1所述的制作绝缘体上硅材料的隔离氧注入方法，其特征在于，注入缺陷引入离子后，对单晶硅衬底进行辅助退火。

3.根据权利要求2所述的制作绝缘体上硅材料的隔离氧注入方法，其特征在于，注入缺陷引入离子后的辅助退火温度范围在550°C～1200℃。

4.根据权利要求2所述的制作绝缘体上硅材料的隔离氧注入方法，其特征在于，注入缺陷引入离子后的辅助退火时间长度小于2小时。

5.根据权利要求1所述的制作绝缘体上硅材料的隔离氧注入方法，其特征在于，所述缺陷引入离子选自于氢离子和氦离子所组成的群组中。

6.根据权利要求5所述的制作绝缘体上硅材料的隔离氧注入方法，其特征在于，缺陷引入离子注入剂量的范围是1×101?cm2~5×101?cm?2。

7.根据权利要求5所述的制作绝缘体上硅材料的隔离氧注入方法，其特征在于，缺陷引入离子注入能量的范围是10keV～300keV。

8.根据权利要求5所述的制作绝缘体上硅材料的隔离氧注入方法，其特征在于，缺陷引入离子注入的步骤中，衬底的温度小于600℃。

9.根据权利要求1所述的制作绝缘体上硅材料的隔离氧注入方法，其特征在于，氧离子的注入剂量的范围是1×101?cm2~5×101?cm?2。

10.根据权利要求1所述的制作绝缘体上硅材料的隔离氧注入方法，其特征在于，氧离子注入的步骤中，衬底的温度的范围是300℃~600°℃。

11.根据权利要求1所述的制作绝缘体上硅材料的隔离氧注入方法，其特征

200810204676.7权利要求书第2/2页

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在于，所述退火步骤中，退火温度范围是1200°℃~1350°C。

12.根据权利要求1所述的制作绝缘体上硅材料的隔离氧注入方法，其特征在于，所述退火步骤中，退火时间范围是1小时～10小时。

13.根据权利要求1所述的制作绝缘体上硅材料的隔离氧注入方法，其特征在于，所述退火步骤中，退火所采用的气体中含有氧气。

14.根据权利要求13所述的制作绝缘体上硅材料的隔离氧注入方法，其特征在于，所述退火步骤中进一步含有氩气和氮气中的