CN101414623B 槽栅型源漏复合场板异质结场效应晶体管及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN101414623B

(45)授权公告日2010.08.11

(21)申请号200810232526.7

(22)申请日2008.12.01

(73)专利权人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白路2号

(72)发明人郝跃毛维过润秋杨翠

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华朱红星

(51)Int.CI.

HO1L29/772(2006.01)

HO1L29/06(2006.01)

HO1L21/335(2006.01)

审查员窦明生

权利要求书1页说明书11页附图4页

(54)发明名称

槽栅型源-漏复合场板异质结场效应晶体管及其制作方法

(57)摘要

CN101414623Br层个交场板1滨场板新核1德化奥势岛层3海M5四槽6被膨本发明公开了一种槽栅型源-漏复合场板异质结场效应晶体管及其制作方法，该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、槽栅(7)、钝化层(8)、源场板(9)、漏场板(11)和保护层(12),该漏场板与漏极电气连接，该源场板与源极电气连接，其中，势垒层

CN101414623B

r层个交场板1

滨场板

新核1德化奥势岛层3

海

M5

四槽6

被膨

CN101414623B权利要求书1/1页

2

1.一种槽栅型源一漏复合场板异质结场效应晶体管，包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、槽栅(7)、钝化层(8)、源场板(9)、漏场板(11)和保护层(12),该漏场板(11)与漏极(5)电气连接，该源场板(9)与源极(4)电气连接，其特征在于，势垒层(3)上开有凹槽(6),该凹槽(6)的深度D小于势垒层的厚度，槽栅(7)与凹槽(6)两端的间距分别为R1和R2,R1的长度为0～2.5μm,R2的长度为0～4μm,并且R1≤R2;源场板与漏场板之间的钝化层上淀积有n个浮空场板(10),n≥1,每个浮空场板大小相同，相互独立，各浮空场板按照相邻两浮空场板之间的间距均为0.11～2.8μm的方式等间距分布于源场板与漏场板之间，这些场板构成源-漏复合场板结构。

2.根据权利要求1所述的源-漏复合场板异质结场效应晶体管，其特征在于源场板(9)与其最邻近的浮空场板之间的距离为0.09～2.3μm,漏场板(11)与其最邻近的浮空场板之间的距离为0.07～1.8μm。

3.根据权利要求1所述的源-漏复合场板异质结场效应晶体管，其特征在于每个浮空场板(10)的厚度均为0.24～6μm,每个浮空场板的长度均为0.25～5μm,源场板的有效长度为0.3～4μm,漏场板的有效长度为0.2～5.2μm。

4.一种制作槽栅型源-漏复合场板异质结场效应晶体管的方法，包括如下步骤：

步骤1,选择蓝宝石或碳化硅或硅或其它外延衬底材料作为衬底(1),在衬底(1)上外延宽禁带化合物半导体材料的过渡层(2)作为器件的工作区；

步骤2,在过渡层(2)上淀积宽禁带化合物半导体材料的势垒层(3);

步骤3,在势垒层(3)上第一次制作掩膜，并在势垒层(3)的两端淀积金属，再在N?气氛中进行快速热退火，分别制作源极(4)和漏极(5);

步骤4,在势垒层(3)上第二次制作掩膜，并在源极和漏极之间的势垒层刻蚀出凹槽(6);

步骤5,在势垒层(3)上第三次制作掩膜，并在凹槽(6)中淀积金属，制作槽栅(7),该槽栅(7)与凹槽(6)两端的间距分别为R1和R2,R1的长度为0.0～2.5μm,R2的长度为0.0～4μm,并且Ri≤R2;

步骤6,淀积钝化层(8),即利用绝缘介质材料分别覆盖源极(4)上部、漏极(5)上部和槽栅(7)上部，以及势垒层(3)上的其它区域；

步骤7,在钝化层(8)上制作掩膜，并在源极与漏极之间的钝化层上淀积两层或三层金属层的组合，以制作厚度均为0.24～6μm的源场板(9)、各浮空场板(10)和漏场板(11),每个浮空场板大小相同，相互独立，各浮空场板按照相邻两浮空场板之间的间距均为0.11～2.8μm