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- 2026-02-28 发布于重庆
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[19]中华人民共和国国家知识产权局[51]Int.Cl.
HO1L33/00(2006.01)
[12]发明专利申请公布说明书
[21]申请号200710201498.8
[43]公开日2009年3月4日[11]公开号CN101378103A
[22]申请日2007.8.28
[21]申请号200710201498.8
[71]申请人富士迈半导体精密工业(上海)有限公司
地址201600上海市松江区松江工业区西部科技工业园区文吉路500号
共同申请人沛鑫半导体工业股份有限公司
[72]发明人赖志铭
权利要求书3页说明书5页附图3页
[54]发明名称
白光发光装置及其制作方法
[57]摘要
100本发明涉及一种白光发光装置及其制作方法,所述白光发光装置包括发光二极管芯片、荧光物质层及反射层。发光二极管芯片包括基底及位于基底上的发光结构,发光结构包括第一型半导体层、第二型半导体层以及位于第一及第二型半导体层之间的活性层,第一型半导体层、活性层及第二型半导体层沿远离基底的方向排列,基底上形成有至少一凹槽以暴露出部分第一型半导体层,发光二极管芯片具有多个侧面。荧光物质层配置在发光二
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