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CN112018112B 半导体单元结构及其形成方法 （中芯国际集成电路制造(上海)有限公司）.pdfVIP

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  • 2026-03-02 发布于山西
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CN112018112B 半导体单元结构及其形成方法 （中芯国际集成电路制造(上海)有限公司）.pdf

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利

    (10)授权公告号CN112018112B

    (45)授权公告日2025.05.02

    (21)申请号201910458687.6(51)Int.Cl.

    H10D84/85(2025.01)

    (22)申请日2019.05.29

    (56)对比文件

    (65)同一申请的已公布的文献号

    申请公布号CN112018112ACN105977252A,2016.09.28

    CN110634857A,2019.12.31

    (43)申请公布日202

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