国产MOCVD设备的特点、性能和发展趋势.pdf

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提纲

一、前言

二、MOCVD设备的特点

三、用第一代MOCVD设备生长的GaN材料

、第二代MOCVD设备的设计要点

五、发展趋势

六、设备生产及相关问题

一、前言Liscas4

•MOCVD是GaAs、InP材料的核心生长技术,特别是GaN—

LED和LD的主流方法。

•随着《国家半导体照明工程》启动,研制国产化MOCVD设

备已迫在

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