提纲
一、前言
二、MOCVD设备的特点
三、用第一代MOCVD设备生长的GaN材料
、第二代MOCVD设备的设计要点
五、发展趋势
六、设备生产及相关问题
一、前言Liscas4
•MOCVD是GaAs、InP材料的核心生长技术,特别是GaN—
LED和LD的主流方法。
•随着《国家半导体照明工程》启动,研制国产化MOCVD设
备已迫在
提纲
一、前言
二、MOCVD设备的特点
三、用第一代MOCVD设备生长的GaN材料
、第二代MOCVD设备的设计要点
五、发展趋势
六、设备生产及相关问题
一、前言Liscas4
•MOCVD是GaAs、InP材料的核心生长技术,特别是GaN—
LED和LD的主流方法。
•随着《国家半导体照明工程》启动,研制国产化MOCVD设
备已迫在
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