CN101699616A 沟道式mos pn结肖特基二极管结构及其制作方法 （英属维京群岛商节能元件股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN101699616A

(43)申请公布日2010.04.28

(21)申请号200910207265.8

(22)申请日2009.10.23

(71)申请人英属维京群岛商节能元件股份有限公司

地址中国台湾台北市

(72)发明人赵国梁陈美玲苏子川郭鸿鑫

(74)专利代理机构隆天国际知识产权代理有限公司72003

代理人冯志云

(51)Int.CI.

HO1L21/329(2006.01)

HO1L29/872(2006.01)

权利要求书5页说明书12页附图20页

(54)发明名称

沟道式MOSP-N结肖特基二极管结构及其制作方法

(57)摘要

CN101699616A本发明公开一种沟道式金属氧化物半导体P-N结肖特基二极管结构及其制作方法，该结构主要包含有一基板、一沟道结构、一多晶硅层、一氧化物层、一金属层以及一离子注入区域，其制作方法包含下列步骤：提供一基板；于该基板上形成一第一掩模层；进行一第一光刻蚀刻工艺，形成一沟道结构；于该沟道结构内成长一栅氧化物层；进行一离子注入工艺形成一离子注入区域；于该沟道