1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内外标准规范

CN110970302B 半导体装置的形成方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）.docxVIP

  • 0
  • 0
  • 约2.89万字
  • 约 56页
  • 2026-03-02 发布于山西
  • 举报

CN110970302B 半导体装置的形成方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利

    (10)授权公告号CN110970302B

    (45)授权公告日2025.05.02

    (21)申请号201910894295.4

    (22)申请日2019.09.20

    (65)同一申请的已公布的文献号

    (51)Int.Cl.

    H10D30/01(2025.01)

    H10D30/62(2025.01)

    H10D62/13(2025.01)

    (56)对比文件

    CN108400167A,2018.08.14

    TW201803113A,2018.01.16审查员郭丹

    权利要求书3页说明书15页附图20页

    申请公布号

    (4

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >