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电子技术工程师考试题(含答案)

一、单项选择题（每题2分，共30分）

1.关于PN结的单向导电性，以下描述正确的是（）。

A.正向偏置时，多子扩散运动占优，PN结导通

B.反向偏置时，少子漂移运动占优，PN结导通

C.正向偏置时，耗尽层变宽，电流增大

D.反向偏置时，耗尽层变窄，电流极小

2.某N沟道增强型MOSFET的开启电压为2V，当栅源电压UGS=3V、漏源电压UDS=5V时，该管子工作在（）。

A.截止区

B.饱和区

C.可变电阻区

D.击穿区

3.共射极放大电路中，若输入正弦信号，输出波形出现顶部失真，原因可能是（）。

A.静态工作点过高，导致饱和失真

B.静态工作点过低，导致截止失真

C.耦合电容容量过小，导致低频衰减

D.负载电阻过大，导致输出电压幅值下降

4.集成运放构成的反相比例运算电路中，若输入电阻为R1，反馈电阻为Rf，则闭环电压放大倍数Auf=（）。

A.Rf/R1

B.-Rf/R1

C.1+Rf/R1

D.-（1+Rf/R1）

5.以下关于差分放大电路的描述，错误的是（）。

A.主要用于抑制零点漂移

B.双端输出时，共模抑制比CMRR趋近于无穷大

C.单端输出时，差模放大倍数为双端输出的1/2

D.