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2025英飞凌消费、计算与通讯创新大会：氮化镓功率器件：技术、应用及未来展望.pptx

2025英飞凌消费、计算与通讯创新大会：氮化镓功率器件：技术、应用及未来展望.pptx

    氮化镓功率器件：技术、应用及未来展望;

    氮化镓材料与器件简介

    氮化镓功率器件技术

    氮化镓功率器件应用

    氮化镓功率器件未来展望

    结束语;

    01

    氮化镓材料与器件简介;

    材料特性;

    ·Ⅲ-V族化合物，宽禁带半导体

    ·Ga与N显著的电负性差异→极化

    ·易形成各类Ⅲ族(主要是AI、Ga、In)氮化物合金→High-Electron-MobilityTransistor;;

    1952;

    第三代半导体功率器件的典型应用场景;

    02

    氮化镓功率器件技术;

    □传统Si功率器件普遍采用垂直结构，而GaN由于GaN衬底成本高昂的限制，主要采用

    基于硅衬底的横向HEMT结构。;

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