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电子技术基础第五版习题册参考答案

电子技术基础第五版习题册参考答案，篇一

题目部分（综合性、不同章节、不同难度的课后练习题）

一、直流电路与欧姆定律

1)将下列元件连成一个混合电路：电源V=24V，R1=2kΩ、R2=4

kΩ并联，R3=3kΩ与该并联支路串联。求等效阻抗Req、总电流It、

R2两端电压VR2。

2)如图所示的并联电路中，电源电压为30V，R4=6kΩ、R5=3kΩ

并联。求等效阻抗Req、总电流It，以及跨R5的电压VR5。

二、半导体器件与整流

3)给出一个简化的半波整流电路：正弦交流源Vs(t)＝5V峰值，与

一个理想二极管和一个1kΩ电阻串联，整流后接地。假设硅二极管正

向导通时压降约07V，求输出波形的峰值、平均直流分量近似值并说

明取值过程中的关键假设与可能的误差。

4)设定一个固定偏置的NPN晶体管放大电路，Vcc=12V，Rc=22

kΩ，Re=1kΩ，Rb=470kΩ，β≈100，Vbe≈07V。基极通过Rb接到

Vcc，基极到发射极之间暂不接其他偏置。请给出Q点的近似Ic、Vce，

并简要判断电路处于放大区还是饱和区，并说明原因。

三、放大电路与运算放大器

5)在一个简化的运算放大器反相放大电路中，Vin接入Rin=10kΩ，

Rf=100kΩ，电源为±15V。请给出输出增益Av、在Vin=05V时的理

论Vout，并判断是否可能饱和、若会，需怎样调整元件阻值避免饱和。

6)设计一个简单的RC低通滤波电路，输入阻抗为1kΩ，目标截止

频率fc≈16kHz。给出合适的电容C值，并说明截止频率的计算原理与

实际的容差可能带来的影响。

答案部分

一、直流电路与欧姆定律

1)R1|｜R2＝（2k×4k)／（2k+4k)＝8/6kΩ≈1333kΩ；Req＝

R1|｜R2＋R3≈1333kΩ＋3kΩ＝4333kΩ；It＝V/Req≈24V／

4333kΩ≈554mA；VR2＝It×（R1|｜R2)≈554mA×1333kΩ≈738

V。

2)R4|｜R5＝（6k×3k)／（6k+3k)＝18/9kΩ＝2kΩ；Req＝2kΩ；

It＝30V／2kΩ＝15mA；VR5＝It×（R4|｜R5)＝15mA×2kΩ

＝30V，但注意这是并联支路上的总压降，应等于源电压，因此题设

若为单源并联，VR5应等于源电压30V；若考虑实际分压，则应按各

支路阻抗分额分压，最终得到R5上的电压与R4上的电压之和为30V

并且电流分配遵循R的并联关系。因题设不清楚分流细节，通常给出

等效阻抗与总电流后，再按并联分压关系分别求出各支路电流与端电

压。

二、半导体器件与整流

3)峰值输出：Vpeak_out＝Vs_peakVd≈507＝43V。导通角

α由条件Vs(θ＝)Vd决定，sinθ＝Vd/Vpeak≈07/5≈014，α≈arcsin(014)

≈0141rad。直流分量Vdc≈（1/2π)∫α（Vpeaksin^πθVd)dθ≈

Vpeak(1+cosα)Vd(π／（α2π))≈5(1+099)07(300)／（6283)≈

（995210)／6283≈125V。陷阱与误差点：若忽略Vd或近似Vd恒

定，会导致Vdc偏差较大；实际整流电路中的纹波、二极管温度系数

也会影响结果。

4)基本Q点分析：Ib≈（VccVbe)／Rb＋（β+1)Re＝（1207)

／470kΩ＋101×1kΩ≈113/571kΩ≈198；Ic≈βIb≈198mAμA；Ve

≈IeRe≈（Ic+Ib)×1kΩ≈20V；Vc≈VccIcRc≈12198mA×22kΩ

≈764V；Vce≈VcVe≈76420≈564V。因此在放大区（Vce显著

大于饱和时的近似值），Ic约为20mA，Vce约为56V，满足放大区

条件。