CN101964394B 一种制作相变存储单元相变单元的方法 （中芯国际集成电路制造(上海)有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN101964394B

(45)授权公告日2012.10.17

(21)申请号200910055386.5

(22)申请日2009.07.24

(73)专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

地址201203上海市张江路18号

专利权人中国科学院上海微系统与信息技术研究所

(72)发明人钟旻向阳辉王良咏林静张复雄宋志棠

(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237

代理人屈蘅李时云

(51)Int.CI.

HO1L45/00(2006.01)

G11C11/56(2006.01)

(56)对比文件

JP特开2007-235128A,2007.09.13,全文.CN1554125A,2004.12.08,全文.

US2009/0035514A1,2009.02.05,全文.审查员颜庙青

权利要求书1页说明书3页附图4页

(54)发明名称

一种制作相变存储单元相变单元的方法

提供相变单元基底，所述相变单元基底包括第一钝化层、贯穿所述第一钝化层的金属层、以

提供相变单元基底，所述相变单元基底包括第

一钝化层、贯穿所述第一钝化层的金属层、以

及位于所述第一钝化层上的第二钝化层

在所述相变单元基底上形成粘附层

刻蚀所述粘附层和所述第二钝化层至露出所述金属层，形成预填充开口，所述预填充开口的位置和所述金属层的位置对应；

在所述粘附层及预填充开口上形成相变材料

依次去除所述第二钝化层上的所述相变材料和所述粘附层

本发明提供了一种制作相变存储单元相变单元的方法，包括：提供相变单元基底，所述相变单元基底包括第一钝化层、贯穿所述第一钝化层的金属层、以及位于所述第一钝化层上的第二钝化层；在所述相变单元基底上形成粘附层；刻蚀所述粘附层和所述第二钝化层至露出所述金属层，形成预填充开口，所述预填充开口的位置和所述金属层的位置对应；在所述粘附层及预填充开口上形成相变材料；依次去除所述第二钝化层上的所述相变材料和所述粘附层。可有效解决传统制

作方法中存在的相变材料易从预填充开口中剥落m的问题和引入新的存储单元结构导致相变材料加寸执机改变以及相变材料L污染的问题

热机制改变以及相变材科污染的问题。

CN101964394B权利要求书1/1页

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1.一种制作相变存储单元相变单元的方法，包括：

提供相变单元基底，所述相变单元基底包括第一钝化层、贯穿所述第一钝化层的金属层、以及位于所述第一钝化层上的第二钝化层；

在所述相变单元基底上形成粘附层；

刻蚀所述粘附层和所述第二钝化层至露出所述金属层，形成预填充开口，所述预填充开口的位置和所述金属层的位置对应；

在所述粘附层及预填充开口上形成相变材料；

依次去除所述第二钝化层上的所述相变材料和所述粘附层。

2.如权利要求1所述的制作相变存储单元相变单元的方法，其特征在于，所述第一钝化层和所述第二钝化层的材料相同。

3.如权利要求2所述的制作相变存储单元相变单元的方法，其特征在于，所述粘附层的通式为MOxNy,其中M为金属、N为氮、0为氧，0≤x≤1、0≤y≤1。

4.如权利要求3所述的制作相变存储单元相变单元的方法，其特征在于，所述金属是钛或钽。

5.如权利要求1所述的制作相变存储单元相变单元的方法，其特征在于，所述粘附层的厚度为20nm。

6.如权利要求5所述的制作相变存储单元相变单元的方法，其特征在于，所述相变材料是锑碲混合物。

7.如权利要求6所述的制作相变存储单元相变单元的方法，其特征在于，所述第二钝化层为氧化硅。

8.如权利要求7所述的制作相变存储单元相变单元的方法，其特征在于，去除所述第二钝化层上的相变材料的方法是化学机械抛光方法。

9.如权利要求8所述的制作相变存储单元相变单元的方法，其特征在于，所述金属层的材料是钨或铜。

10.如权利要求9所述的制作相变存储单元相变单元的方法，其特征在于，所述粘附层的厚度小于所述第二钝化层的厚度。

CN101964394B说明书1/3页

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一种制作相变存储单元相变单元的方法

技术领域

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