CN113345893B 晶体管栅极及其形成方法 (台湾积体电路制造股份有限公司).docxVIP

  • 0
  • 0
  • 约3.56万字
  • 约 110页
  • 2026-03-03 发布于山西
  • 举报

CN113345893B 晶体管栅极及其形成方法 (台湾积体电路制造股份有限公司).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN113345893B

(45)授权公告日2025.05.06

(21)申请号202011389575.9

(22)申请日2020.12.01

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN113345893A

(43)申请公布日2021.09.03

(30)优先权数据

63/038,9702020.06.15US

16/943,1102020.07.30US

(73)专利权人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹市

(72)发明人李欣怡陈智城洪正隆徐志安

(74)专利代理机

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档