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CN111863623B 一种多层超结半导体器件的制备方法 （上海维安半导体有限公司）.pdfVIP

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  • 2026-03-04 发布于山西
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CN111863623B 一种多层超结半导体器件的制备方法 （上海维安半导体有限公司）.pdf

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利

    (10)授权公告号CN111863623B

    (45)授权公告日2025.05.09

    (21)申请号202010868843.9(56)对比文件

    (22)申请日2020.08.25

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