铸锭多晶硅和非晶硅薄片的概述及生产工艺.docxVIP

一、多晶硅锭产业背景

太阳能电池产业是近几年发展最快的产业之一，最近5年来以超过50%的速度高速增长。

在各种类型的太阳能电池中，晶体硅太阳电池由于其转换效率高，技术成熟而继续保持领先地位，占据了90%以上的份额，预计今后十年内晶体硅仍将占主导地位。

太阳能电池产业的飞速发展，带动硅锭/硅片的需求也大增,特别是多晶硅硅锭的生产向大规模化发展，单厂生产能力已达到百兆瓦级。

虽然目前单晶硅的转换效率比多晶硅高，但两者的差距正逐渐缩短，多晶硅具有制造成本较低与单位产出量较大的优势，故多晶硅芯片在太阳能产业中未来仍将扮演主流角色。

二、多晶硅锭的组织结构

太阳能电池多晶硅锭是一种柱状晶，晶体生长方向垂直向上，是通过定向凝固（也称可控凝固、约束凝固）过程来实现的，即在结晶过程中，通过控制温度场的变化，形成单方向热流(生长方向与热流方向相反），并要求液固界面处的温度梯度大于0，横向则要求无温度梯度，从而形成定向生长的柱状晶。

一般来说，纯金属通过定向凝固，可获得平面前沿，即随着凝固进行，整个平面向前推进，但随着溶质浓度的提高，由平面前沿转到柱状。对于金属，由于各表面自由能一样，生长的柱状晶取向直，无分叉。而硅由于是小平面相，不同晶面自由能不相同，表面自由能最低的晶面会优先生长，特别是由于杂质的存在，晶面吸附杂质改变了表面自由能，所以多晶硅柱状晶生长方向不如金属的直，且伴有分叉。

三、定向凝固时硅中杂质的分凝

太阳能电池硅锭的生长也是一个硅的提纯过程，是基于杂质的分凝效应进行的。如下图所示，一杂质浓度为C0的组分，当温度下降至T’’时，其固液界面处固相侧的杂质浓度为C*S。

对一个杂质浓度非常小的平衡固液相系统，在液固界面处固相中的成分与在液相中的成分比值为一定，可表达为平衡分配系数K=C*S/C*L其中，C*L液固界面处液相侧溶质浓度C*S液固界面处固相侧溶质浓度金属杂质在硅中平衡分配系数在10-4—10-8之间，B为0.8，P为0.35。

实际生产中固液界面还存在一个溶质富集层，杂质的分配系数还与该富集层的厚度、杂质的扩散速度、硅液的对流强度及晶体生长速度均有关，引入有效分配系数K’来表示：

K’=K/[K+(1-K)exp(-Rδ/DL)]

式中:K’有效分配系数,

K平衡分配系数,

R生长速度cm/s,

δ溶质富集层厚度（固液界面的扩散层）cm（0.005-0.05）,

DL扩散系数cm2/s。

R或δ趋近于0，K’趋近于K时，最大程度提纯。

R趋近于∞，K’趋近于1时，无提纯作用。

四、多晶硅锭定向凝固生长方法

实现多晶硅定向凝固生长的四种方法：

布里曼法

热交换法

电磁铸锭法

浇铸法

1、布里曼法（BridgemanMethod）

这是一种经典的较早的定向凝固方法。

特点：

坩埚和热源在凝固开始时作相对位移，分液相区和凝固区，液相区和凝固区用隔热板隔开。

液固界面交界处的温度梯度必须0，即dT/dx0，温度梯度接近于常数。

长晶速度受工作台下移速度及冷却水流量控制，长晶速度接近于常数，长晶速度可以调节。

硅锭高度主要受设备及坩埚高度限制。

生长速度约0.8-1.0mm/分。

缺点：炉子结构比热交换法复杂，坩埚需升降且下降速度必须平稳，其次坩埚底部需水冷。

2、热交换法

约在65%~70%之间。而采用熔体直拉法制备单晶硅棒，原生多晶硅的利用率大约只有40%~60%。

另一方面，铸锭多晶硅的生产周期大约460公斤每60小时，5.17公斤每小时，是单晶方棒1.30公斤每小时的4倍。

可见采用多晶铸锭法制备多晶硅锭，进而加工硅片，制造成本的优势是显而易见的。

六：多晶硅铸锭产业链

多晶硅薄膜

1.非晶半导体的特点

1.1什么是非晶态半导体？

非晶态半导体：包括所有不是晶态的半导体。与晶态半导体材料相比，非晶态半导体材料的原子在空间排列上失去了长程有序性，但其组成原子也不是完全杂乱无章地分布的。由于受到化学键，特别是共价键的束缚，在几个原子的微小范围内，可以看到与晶体非

常相似的结构特征。所以，一般将非晶态材料的结构描述为：“长程无序，短程有序”

1.2非晶态半导体不同于晶态半导体的特点

与晶态半导体相比，非晶态半导体的特点是：

晶态半导体非晶态半导体

晶格周期性（长程序）短程序（20~30?）

点（单晶）

X光和电子衍射模糊晕环（包括微晶200?）

环（多晶）

电子态为能带所表征带尾和定域能隙态的出现

1.3非晶硅的结构特点

用来描述非晶硅的结构模型