CN111816702B 一种空穴沟道半导体晶体管、制造方法及其应用 (广东致能半导体有限公司).docxVIP

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  • 2026-03-04 发布于山西
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CN111816702B 一种空穴沟道半导体晶体管、制造方法及其应用 (广东致能半导体有限公司).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN111816702B

(45)授权公告日2025.05.09

(21)申请号202010288958.0

(22)申请日2020.04.13

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN111816702A

(43)申请公布日2020.10.23

(66)本国优先权数据

201910291624.62019.04.12CN

(73)专利权人广东致能半导体有限公司

地址518100广东省深圳市宝安区新安街

道海滨社区宝兴路6号海纳百川总部大厦A座3层

(72)发明人黎子兰

(74)专利代理机构北京

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