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微电子工艺与封装技术试题及答案

微电子工艺与封装技术试卷

一、选择题(每题2分,共20分)

1.下列硅片制备方法中,适合制备高电阻率硅片的是（)。

A.直拉法(CZ法)

B.区熔法(FZ法）

C.外延法

D.磁控拉晶法

2.热氧化生长SiO时,干氧氧化的优点是()。

A.生长速度快

B.氧化层致密、均匀性好

C.温度低

D.界面陷阱密度低

3.光刻工艺中,负性光刻胶曝光后()。

A.受光部分溶解,未受光部分保留

B.受光部分交联硬化,未受光部分溶解

C.整个光刻胶层均匀溶解

D.无化学变化

4.离子注入工艺中,为了减少注入损伤,通常采用的后续处理是()。

A.低温退火

B.高温快速退火(RTA)

C.氧化退火

D.惰性气体退火

5.下列刻蚀方法中,具有高各向异性的是()。

A.湿法刻蚀(如HF刻蚀SiO)