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IC先进封装技术发展现状与趋势分析

1.主流先进封装技术对比

当前半导体行业中，两种主流的先进封装技术分别是MRCUF（Mass

ReflowusingCapillaryUnderfill）和TCNCP（ThermalCompression

BondingwithNon-ConductivePaste）。这两种技术在工艺流程和适用场景

上存在显著差异。

MRCUF工艺采用先装片后点胶的流程顺序。具体而言，首先将芯片通过

回流焊工艺焊接在基板上，随后通过毛细作用将底部填充材料（Underfill）注

入芯片与基板之间的间隙。这种工艺特别适用于焊球数量多、节距（pitch）小

的应用场景，能够提供更好的机械支撑和热应力缓解。其优势在于工艺成熟稳

定，良品率较高，特别适合大规模量产环境。

相比之下，TCNCP工艺采用完全不同的技术路线。该工艺在装片过程中同

步进行点胶操作，并通过加热实现一次性完成焊接和填充。TCNCP工艺的核心

在于采用热压键合（ThermalCompressionBonding