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无序因素对单层石墨体系电子与量子输运特性的深度解析

一、引言

1.1研究背景

自2004年英国曼彻斯特大学的Geim等成功制备出单层石墨以来，这种由碳原子以六角蜂窝状排列组成的二维原子晶体，凭借其诸多优异的物理特性，引发了全球范围内的研究热潮。单层石墨中电子迁移率极高，可达200000cm2/(V?s)，远超常见半导体硅，且具有超高的导热率（3000W/(m?K)）、比面积（2630m2/g）以及杨氏模量（1.06TPa）和断裂应力（约130GPa），对可见光吸收率低至2.3%。其独特的双极性电场效应，使电子和空穴表现为无质量的狄拉克费米子，衍生出如室温下的量子反常霍尔效应、克莱因佯谬现象等特殊量子效应，在晶体管、透明电极、传感器、锂离子电池、超级电容器等众多领域展现出巨大的应用潜力。

然而，在实际制备和应用中，单层石墨体系不可避免地会存在各种无序因素，如本征缺陷（Stone-Wales缺陷、空位缺陷、线缺陷、边界缺陷等）、杂质原子的掺杂、晶格的热振动等。这些无序因素的存在，会严重破坏单层石墨体系的完美周期性结构，进而对其电子结构和量子输运性质产生显著影响。研究表明，即使是低浓度的缺陷，也会在很大程度上改变石墨烯的电学、热学和力学等性能，这不仅限制了其在高性能电子器件中的应用，也对其理论研究提出了挑战。因此，深入探究无序对单层石墨体系电子结构及量子输运性质