CN106941117A 基于悬浮超结的氮化镓基异质结电流孔径器件及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN106941117A

(43)申请公布日2017.07.11

(21)申请号201710136225.3

(22)申请日2017.03.09

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人毛维石朋毫郝跃马佩军

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华

(51)Int.CI.

HO1L29/778(2006.01)

HO1L29/06(2006.01)

HO1L29/417(2006.01)

HO1L29/47(2006.01)

HO1L21/335(2006.01)

权利要求书2页说明书11页附图6页

(54)发明名称

基于悬浮超结的氮化镓基异质结电流孔径器件及其制作方法

(57)摘要

CN106941117A本发明公开了一种基于悬浮超结的氮化镓基异质结电流孔径器件，主要解决现有技术无法实现良好的双向阻断的问题。其自下而上包括：肖特基漏极(13)、衬底(1)、漂移层(4)、孔径层(5)、左右两个对称的电流阻挡层(6)、沟道层(8)、势垒层(9)和栅极(12),两个电流阻挡层(6)之间形成孔径(7),势垒层上的两侧淀积有两个源极(11),两个源极下方通过离子注入形成两个注入区(10);其中：衬底上方与漂移层下方之间设有两个对称的P柱(2)和一个N柱(3),两个P柱位于N柱的左右两侧。本发明具有良好的双向阻断能力，正向击穿电压和反向击穿电压高，可用

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CN106941117A权利要求书1/2页

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1.一种基于悬浮超结的氮化镓基异质结电流孔径器件，包括：衬底(1)、漂移层(4)、孔径层(5)、左右两个对称的电流阻挡层(6)、沟道层(8)和势垒层(9),衬底(1)的下部设有肖特基漏极(13),势垒层(9)上的两侧淀积有两个源极(11),两个源极(11)下方通过离子注入形成两个注入区(10),源极之间的势垒层上淀积有栅极(12),两个对称的电流阻挡层(6)之间形成孔径(7),其特征在于：

所述衬底(1)与漂移层(4)之间，设有两个采用p型GaN材料的柱形结构，即两个P柱(2)和一个采用n型GaN材料的柱形结构，即N柱(3),且两个P柱(2)位于N柱(3)的左右两侧，每个P柱(2)的厚度与N柱(3)的厚度相同。

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于衬底(1)的厚度U根据实际制作工艺确定，其取值范围为3～30μm。

3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于肖特基漏极(13)采用功函数大于4.5eV的金属。

4.根据权利要求1所述的器件，其特征在于每个P柱(2)的宽度Wp为0.5～5μm。

5.根据权利要求1所述的器件，其特征在于N柱(3)的宽度Wn为每个P柱(2)宽度Wp的二倍，即W=2Wp,N柱(3)的厚度H为5～40μm。

6.根据权利要求1所述的器件，其特征在于P柱(2)与N柱(3)的掺杂浓度相同，均为5×101?~5×101?cm?3。

7.根据权利要求1所述的器件，其特征在于漂移层(4)的掺杂浓度为1×101?~1×101?cm?3,厚度L为3～25μm。

8.一种制作基于悬浮超结的氮化镓基异质结电流孔径器件的方法，包括如下过程：

A.制作衬底(1):

采用掺杂浓度为5×101?~5×101?cm?3、厚度U为3～30μm、宽度为2～20μm的n型GaN材料做衬底(1);

B.制作P柱(2)和N柱(3);

B1)在衬底(1)上部第一次外延一层厚度H?为5～10μm、掺杂浓度为5×101?~5×101?cm?3的n型GaN材料，并在该层n型GaN材料上制作掩模，利用该掩模在该层n型GaN材料内的两侧位置注入p型杂质，以形成平均掺杂浓度为5×101?~5×101?cm?的两个p型掺杂的第一区，该两个第一区的厚度Hp1为5～10μm,宽度Wp为0.5～5μm,且Hp?=Hi;

B2)在步骤B1)外延的n型GaN材料上部和两个第一区上部，第二次外延一层厚度H?为5~10μm、掺杂浓度为5×101?~5×101?cm?3的n型GaN材料，并在该层n型GaN材料上制作