CN106847895B 基于TiN-Cu-Ni栅电极的GaN基高电子迁移率晶体管及制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN106847895B公告日2019.10.11

(21)申请号201611150328.7

(22)申请日2016.12.14

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN106847895A

(43)申请公布日2017.06.13

(73)专利权人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市雁塔区太白南

路2号

(72)发明人马晓华郝跃李晓彤祝杰杰杨凌郑雪峰

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华朱红星

(51)Int.CI.

H01L29/423(2006.01)

HO1L29/47(2006.01)

HO1L21/336(2006.01)

HO1L29/778(2006.01)

(56)对比文件

CN103094335A,2013.05.08,

CN104425617A,2015.03.18,

US2014361310A1,2014.12.11,Jia-QiZhang等.“Self-aligned-gate

AlGaN/GaNheterostructurefield-effect transistorwithtitaniumnitridegate”.《CHin.Phys.B》.2016,第25卷(第8期),第

087308-1页至第0873-4页.

审查员张文星

权利要求书2页说明书9页附图1页

(54)发明名称

基于TiN/Cu/Ni栅电极的GaN基高电子迁移率晶体管及制作方法

(57)摘要

CN106847895B本发明公开了一种基于TiN/Cu/Ni栅电极的GaN基高电子迁移率晶体管制作方法，主要解决现有同类器件成本高的问题。其制作过程为：在外延基片上制作源、漏电极和有源区电隔离，并生长SiN钝化层；在SiN钝化层上光刻并刻蚀栅槽区域；在栅槽和SiN钝化层上光刻栅电极区域，利用磁控溅射工艺依次淀积TiN肖特基接触层、Cu导电层和Ni保护层，剥离后形成TiN/Cu/Ni结构的栅电极；在栅电极和SiN钝化层上生长SiN保护层；在SiN保护层上光刻并刻蚀金属互联开孔区；在互联开孔区和SiN保护层上制作金属互联层，完成器件制作。本发明降低了栅极制作成本，提

CN106847895B

在外延基片上制作源电极和

在外延基片上制作源电极和漏电极

在SIN钝化层上光刻并刻蚀栅槽区域

在完成栅槽刻蚀的样品上光刻

并利用磁控溅射工艺制作

TIN/Cu/N结构的栅电极

光刻并蒸发金属互联层，完成器件制作

在Ga帽层上制作有源区的电隔离

在完成电隔离的样品上生长SIN钝化层

在完成栅电极的样品上生长SIN保护层

在SIN保护层上光刻并刻蚀互联开孔区域

CN106847895B权利要求书1/2页

2

1.一种基于TiN/Cu/Ni栅电极的GaN基高电子迁移率晶体管，自下而上包括衬底(1)、A1N成核层(2)、GaN缓冲层(3)、A1N插入层(4)、AlGaN势垒层(5)、GaN帽层(6),GaN帽层(6)中间设有栅电极(11),栅电极(11)以外的区域设有钝化层(7),SiN钝化层(7)与栅电极(11)之上设有SiN保护层(8),GaN缓冲层(3)的两端设有源电极(9)和漏电极(10),源电极(9)和漏电极(10)上设有金属互联层(12),其特征在于：

栅电极(11),采用由TiN肖特基接触层(111)、Cu导电层(112)和Ni保护层(113)组成的叠层结构。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于TiN肖特基接触层(111)的厚度为20nm~30nm。

3.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于Cu导电层(112)的厚度为200nm～300nm。

4.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于Ni保护层(113)的厚度为10nm～20nm。

5.一种基于TiN/Cu/Ni栅电极的GaN基高电子迁移率晶体管的制作方法，包括如下步骤：

1)选取在自下而上依次包括衬底、A1N成核层、GaN缓冲层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN帽层的外延基片，在该基片的的GaN缓冲层上制作源电极