超大规模集成电路设计导论考试题及答案.pdfVIP

1、MOS集成电路的加工包括哪些基本工艺？各有哪些方法和工序？

答：（1）热氧化工艺：包括干氧化法和湿氧化法；

（2）扩散工艺：包括扩散法和离子注入法；

（3）淀积工艺：化学淀积方法：1外延生长法；2热CVD法；3等离子CVD

法；

物理淀积方法：1

溅射法；2真空蒸发法

（4）光刻工艺：工序包括：1涂光刻胶；2预烘干；3掩膜对准；4曝光；

5显影；6后烘干；7腐蚀；8去胶。

2、简述光刻工艺过程及作用。

答：（1）涂光刻胶：为了增加光刻胶和硅片之间的粘附性，防止显影时光刻胶的脱落，以

及防止湿法腐蚀产生侧向腐蚀；

（2）预烘干：以便除去光刻胶中的溶剂；

（3）掩膜对准：以保证掩模板上的图形与硅片上已加工的各层图形套准；

（4）曝光：使光刻胶获得与掩模图形相同的感光图片；

（5）显影：将曝光后的硅片浸泡在显影液中，使正光刻胶的曝光部分和负

光刻胶的未曝光部分被溶解掉；

（6）后