CN106525093B 基于磁流体非均匀团簇的光纤矢量磁场传感器及制作方法 （深圳大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN106525093B公告日2018.11.20

(21)申请号201610955366.3

(22)申请日2016.11.03

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN106525093A

(43)申请公布日2017.03.22

(73)专利权人深圳大学

地址518060广东省深圳市南山区南海大

道3688号

(72)发明人尹金德阮双琛闫培光陈浩

(74)专利代理机构天津市北洋有限责任专利代理事务所12201

代理人李素兰

(51)Int.CI.

GO1D5/353(2006.01)

G01R33/032(2006.01)

(56)对比文件

CN203705627U,2014.07.09,

CN101598773A,2009.12.09,

CN103344925A,2013.10.09,

CN102411131A,2012.04.11,

CN103278782A,2013.09.04,

US2008/0085080A1,2008.04.10,

刘剑飞等.《基于磁流体填充的光子晶体光纤传感特性研究》.《激光与光电子学进展》

.2016,

审查员张瀛

权利要求书1页说明书4页附图4页

(54)发明名称

基于磁流体非均匀团簇的光纤矢量磁场传感器及制作方法

(57)摘要

CN106525093B本发明公开了一种基于磁流体非均匀团簇的光纤矢量磁场传感器，该传感器包括光纤干涉仪和纳米磁流体材料(4);所述光纤干涉仪由导入单模光纤(1)和导出单模光纤(3)以及两者之间偏心熔接的一段细芯光纤(2)构成；所述纳米磁流体材料(4)的有效折射率同时受到磁场强度和方向的调制；通过纳米磁流体材料(4)和偏心包层光模式(8)之间的倏逝场耦合作用，实现磁场强度和方向对偏心包层光模式(8)有效折射率的调制作用，从而使光纤干涉仪输出光谱信号受磁场矢量调制，构成光纤矢量磁场传感器。本发

CN106525093B

CN106525093B权利要求书1/1页

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1.一种基于磁流体非均匀团簇的光纤矢量磁场传感器，其特征在于，该传感器包括光纤干涉仪和纳米磁流体材料(4);所述光纤干涉仪由导入单模光纤(1)和导出单模光纤(3)以及两者之间偏心熔接的一段细芯光纤(2)构成；入射光(7)进入细芯光纤(2)之后分裂成偏心包层光模式(8)和芯层光模式(9),并在导出单模光纤(3)的芯层相遇形成导出光(10),产生马赫泽德干涉光谱信号；所述纳米磁流体材料(4)通过玻璃毛细管(5)和光学紫外胶(6)密封包裹在光纤干涉仪周围形成包层结构；在磁场作用下，与磁场方向相切的细芯光纤表面附近，铁磁性纳米粒子(12)汇集成高密度纳米粒子群(14);与磁场方向垂直的细芯光纤表面附近，铁磁性纳米粒子(12)分散成低密度纳米粒子群(13),形成所述铁磁性纳米粒子(12)在光纤干涉仪附近随磁场方向汇聚或分散；即细芯光纤端面(11)周围的铁磁性纳米粒子(12)沿磁场方向形成链状团簇结构，光纤干涉仪附近的铁磁性纳米粒子(12)呈现出非均匀分布特征；

使得在细芯光纤(2)中偏心包层光模式(8)附近，所述纳米磁流体材料(4)的有效折射率同时受到磁场强度和方向的调制；通过纳米磁流体材料(4)和偏心包层光模式(8)之间的倏逝场耦合作用，实现磁场强度和方向对偏心包层光模式(8)有效折射率的调制作用，从而使光纤干涉仪输出光谱信号受磁场矢量调制，构成光纤矢量磁场传感器。

2.如权利要求1所述的一种基于磁流体非均匀团簇的光纤矢量磁场传感器，其特征在于，所述铁磁性纳米粒子群的密度与磁场强度成正比，铁磁性纳米粒子群聚集或分散位置随磁场方向的变化而变化。

3.一种基于磁流体非均匀团簇的光纤矢量磁场传感器的制作方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

步骤(1)、制作光纤干涉仪：将导入单模光纤(1)与细芯光纤(2)偏心熔接；切割后细芯光纤(2)的长度保留20～40mm,两段光纤轴心偏移量为10～12μm,熔接机放电强度为-50bit,放电时间为1000ms;将导入单模光纤(1)另一端接入宽带光源(20),并将细芯光纤(2)与导出单模光纤(3)在熔接机中对准，调整两者轴心偏移量，同时通过光谱仪(21)实时观察，直至导出单模