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- 2026-03-06 发布于四川
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2025年对口招生考试(电子技术基础)历年参考题库含答案详解
一、单项选择题
下列各题只有一个正确答案,请选出最恰当的选项(共30题)
1、在N型半导体中,主要载流子是?
A.空穴
B.电子
C.离子
D.原子核
2、二极管的死区电压硅管约为?
A.0.1V
B.0.3V
C.0.5V
D.0.7V
3、三极管工作在放大状态时,其偏置条件是?
A.发射结正偏,集电结正偏
B.发射结正偏,集电结反偏
C.发射结反偏,集电结正偏
D.发射结反偏,集电结反偏
4、理想运算放大器的开环增益为?
A.0
B.1
C.无穷大
D.1000
5、数字电路中,高电平通常用逻辑几表示?
A.0
B.1
C.-1
D.2
6、三极管的电流放大系数β表示?
A.IC/IB
B.IE/IB
C.IC/IE
D.IB/IC
7、稳压二极管正常工作时处于什么状态?
A.正向导通
B.反向截止
C.反向击穿
D.零偏置
8、基本RS触发器的输出Q和Q非必须满足什么关系?
A.Q=Q非
B.Q和Q非无关
C.Q+Q非=1
D.Q·Q非=0
9、单相桥式整流电路输出电压平均值是输入交流电压有效值的?
A.0.45倍
B.0.9倍
C.1.2倍
D.2.34倍
10、电容滤波电路中,滤波电容与负载如何连接?
A.串联
B.并联
C.混联
D.任意连接
11、在N型半导体中,主要的载流子是
A.空穴
B.电子
C.正离子
D.负离子
12、二极管的死区电压硅管约为
A.0.1V
B.0.2V
C.0.5V
D.0.7V
13、三极管工作在放大状态时,其发射结和集电结的偏置状态是
A.发射结反偏,集电结反偏
B.发射结正偏,集电结反偏
C.发射结正偏,集电结正偏
D.发射结反偏,集电结正偏
14、运算放大器的理想特性中,开环增益Avo为
A.0
B.1
C.无穷大
D.1000
15、在共射放大电路中,输入信号与输出信号的相位关系是
A.同相
B.反相
C.相位差90度
D.相位差180度
16、稳压二极管正常工作时处于
A.正向导通状态
B.反向截止状态
C.反向击穿状态
D.饱和状态
17、在数字电路中,TTL门电路的电源电压通常为
A.3.3V
B.5V
C.12V
D.24V
18、PN结加正向电压时,其空间电荷区将
A.变宽
B.变窄
C.不变
D.消失
19、在放大电路中,引入负反馈后,其通频带将
A.变窄
B.变宽
C.不变
D.无法确定
20、CMOS电路的主要优点是
A.速度快
B.功耗低
C.驱动能力强
D.抗干扰能力强
21、在N型半导体中,主要的载流子是
A.空穴
B.电子
C.正离子
D.负离子
22、二极管的导通电压约为
A.0.1V
B.0.7V
C.1.2V
D.2.0V
23、三极管工作在放大状态时,其发射结和集电结的偏置情况是
A.发射结正偏,集电结正偏
B.发射结正偏,集电结反偏
C.发射结反偏,集电结正偏
D.发射结反偏,集电结反偏
24、在基本共射放大电路中,若静态工作点设置过高,容易出现
A.饱和失真
B.截止失真
C.频率失真
D.相位失真
25、运算放大器的理想特性中,开环差模放大倍数为
A.0
B.1
C.无穷大
D.有限值
26、数字电路中,高电平通常用逻辑1表示,低电平用逻辑0表示,这种逻辑关系称为
A.负逻辑
B.正逻辑
C.互补逻辑
D.反相逻辑
27、在RC充放电电路中,时间常数τ等于
A.R+C
B.R-C
C.R×C
D.R/C
28、稳压二极管正常工作时应工作在
A.正向导通区
B.反向截止区
C.反向击穿区
D.零偏置状态
29、在数字电路中,与门的逻辑表达式为
A.F=A+B
B.F=A·B
C.F=A⊕B
D.F=A?·B?
30、晶体管放大电路中,若要求输入电阻大、输出电阻小,应采用
A.共射电路
B.共基电路
C.共集电路
D.差分电路
二、多项选择题
下列各题有多个正确答案,请选出所有正确选项(共15题)
31、在N型半导体中,以下哪些说法是正确的?
A.自由电子是多数载流子
B.空穴是少数载流子
C.掺入了三价元素
D.掺入了五价元素
32、关于二极管的伏安特性,以下描述正确的是?
A.正向导通时电压约为0.7V
B.反向击穿时电流急剧增加
C.死区电压约为0.5V
D.反向饱和电流很小
33、三极管放大状态的外部条件包括?
A.发射结正偏
B.集电结反偏
C.发射结反偏
D.集电结正偏
34、运算放大器的理想特性包括?
A.
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