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纳米电子系统容变化与容错问题：原理、技术与挑战

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，纳米电子系统在现代信息技术中占据了愈发重要的地位。纳米电子技术作为微电子技术发展的必然趋势，有望成为下一代信息技术的核心。纳米电子器件以其超高速（10?12-10?13s）、超高频（大于1000GHz）、高集成度（大于101?元器件/cm2）、高效低功耗、极低阈值电流密度（亚毫安）和极高量子效率等特性，在信息领域展现出了极其重要的应用前景，可能触发新的技术革命。

传统硅基CMOS技术在2020年前后逐渐逼近10nm尺寸和性能极限，量子效应愈发显著，在速度、功耗、集成度、成本、加工均匀性和可靠性等方面面临诸多限制。而纳米电子技术能够突破这些物理和工艺极限，实现“更小、更快、更冷”的目标。根据美国国防部高级研究计划局（DARPA）提出的“超电子学”研究计划，未来电子器件需达到“双十二”，即1012的存储器容量（1Terabit）和每秒1012次的运算速度（1000亿次/s），且廉价节能，这使得电子器件尺寸必然进入纳米尺度范围。

纳米电子技术还能催生大批新型信息器件，引发信息领域电子器件的颠覆性变革，其意义可比晶体管取代真空电子管。并且，纳米电子因其独特物理效应，更易与光电子、生物、机械等技术融合，制成光电器件、分子器件、纳机电系统、纳米机器人