CN106229345A 叠层栅介质GaN基绝缘栅高电子迁移率晶体管及制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN106229345A

(43)申请公布日2016.12.14

(21)申请号201610808661.6

(22)申请日2016.09.08

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市雁塔区太白南

路2号

(72)发明人祝杰杰马晓华郝跃杨凌侯斌

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华

(51)Int.CI.

HO1L29/778(2006.01)

H01L21/335(2006.01)

HO1L29/423(2006.01)

权利要求书2页说明书10页附图1页

(54)发明名称

叠层栅介质GaN基绝缘栅高电子迁移率晶体管及制作方法

(57)摘要

CN106229345A本发明公开了一种叠层栅介质GaN基绝缘栅高电子迁移率晶体管，主要解决现有同类器件可靠性低的问题。该器件自下而上包括衬底(1)、A1N成核层(2)、GaN缓冲层(3)、A1N插入层(4)、AlGaN势垒层(5)、GaN帽层(6)、SiN钝化层(7)、栅介质层(8)和SiN保护层