CN106229256A 一种硅锗纳米线的制作方法 （东莞华南设计创新院）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN106229256A

(43)申请公布日2016.12.14

(21)申请号201610613954.9

(22)申请日2016.07.29

(71)申请人东莞华南设计创新院

地址523000广东省东莞市松山湖高新技

术产业开发区生产力大厦北区一楼申请人广东工业大学

(72)发明人王勇王瑛丁超

(74)专利代理机构广东莞信律师事务所44332代理人曾秋梅

(51)Int.CI.

HO1L21/205(2006.01)

权利要求书1页说明书2页附图1页

(54)发明名称

一种硅锗纳米线的制作方法

(57)摘要

本发明公布了一种硅锗纳米线的方法。其步骤如下：(1)准备一锗基半导体衬底作为基片；

(2)在该锗基片上生长40纳米的P型掺杂的硅锗半导体沟道层A;(3)在该锗基片上生长40纳米厚的P型掺杂的锗材料牺牲层B;(4)在该锗基片上生长的40纳米的P型掺杂的硅锗半导体沟道层C;

CN106229256A(5)在该锗基片上生长40纳米厚的P型掺杂的锗材料牺牲层D;(6)在该基片上生长40纳米氮化硅介质层；(7)在该基片上采用电子束光刻与剥离的方法沉积