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CN114400213B 一种半导体封装结构及其形成方法 （长鑫存储技术有限公司）.docxVIP

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  • 2026-03-07 发布于山西
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CN114400213B 一种半导体封装结构及其形成方法 （长鑫存储技术有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利

    (10)授权公告号CN114400213B

    (45)授权公告日2025.05.06

    (21)申请号202210068308.4

    (22)申请日2022.01.20

    (65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN114400213A

    (43)申请公布日2022.04.26

    (73)专利权人长鑫存储技术有限公司

    地址230601安徽省合肥市经济技术开发

    区空港工业园兴业大道388号

    (72)发明人庄凌艺

    (51)Int.Cl.

    H01L23/485(2006.01)

    H01L23/488(2006.01)

    H01L2

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