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200V P-Channel MOSFET特性与应用概述.pdf

200V P-Channel MOSFET特性与应用概述.pdf

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    FQB7P20TM_F085

    200VP‑通道MOSFET

    概述

    这些P‑通道增强型功率场效应晶体管采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术制造。

    这项先进技术特别优化以最小化导通电阻，卓越的开关性能，并能在雪崩和换流模

    式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合用于高效开关DC/DC转换器。

    特性

    •7.3A，‑200V，RDS(导通)= 0.69Ω@VGS −10V

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