电子收集器实现方法及其制作工艺.pdfVIP

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(21)申请号201410817594.5

(22)申请日2014.12.24

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN104485274

(43)申请公布日2015.04.01

(73)专利权人地址100084市海淀区100084信箱82分箱专利

(72)发明人兰楚文

(74)专利机构11245

人刘美丽

51.Int.CI.

H01L21/02(2006.01)

H01L21/266(2006.01)

(56)对比文件

DE3913063A1,1990.10.25,

CN1599944A,2005.03.23

CN102163007A,2011.08.24,

员于鹏飞

权利要求书1页说明书5页附图2页

(54)发明名称

一种电子收集器实现方法

(57)

本发明涉及一种电子收集器实现方法，其特征在于包括以下内容：1)根据材料光生

载流子及扩散距离，确定电子收集区域；2)根据收集效果，采用光学变换原理设定环

形电子收集区域的三个电子迁移率值；3)根据设定的环形电子收集区域的径向电子迁移率

u和环向电子迁移率u分别得到A扇形区域和B扇形区域所对应的迁移率分布；4)根据

r0

计算得到的A扇形区域和B扇形区域的电子迁移率分布，并依据电子迁移率与掺

杂杂质的关系，得到相应区域掺杂杂质的剂量分布；5)根据环形电子收集区域周围的电子

迁移率μ，计算得到C区域的掺杂杂质的剂量分布；6)根据环形电子收集区域的尺寸和A

0

扇形区域、B扇形区域以及C区域的掺杂杂质的剂量分布，制作掩模板；7)利用离子注入

方式在制作的掩模板上注入相应剂量的掺杂杂质，即制作得到一电子收集器。

1.一种电子收集器实现方法，其特征在于包括以下内容：

1)根据材料光生载流子及扩散距离，确定电子收集区域，具体过程为：

1.1)采用材料制作一基底，根据材料光生载流子及扩散距离，在基底上

设置一环形电子收集区域，并将环形电子收集区域间隔分割成若干扇形区域；

1.2)将所有扇形区域分别定义为A扇形区域和B扇形区域相间分布，环形电子收集区域以

外的区域定义为C区域；

2)根据收集效果，采用光学变换原理设定环三个电子迁移率值，其中，三个电子迁移率值

分别为环形电子收集区域周围的电子迁移率μ，环形电子收集区域的径向电子迁移率μ

0r

为以及环形电子收集区域的环向电子迁移率μ

0

3)根据设定的环形电子收集区域的径向电子迁移率μ和环向电子迁移率μ分别得到A扇

rθ

形区域和B扇形区域所对应的迁移率分布；

4)根据计算得到的A扇形区域和B扇形区域的电子迁移率分布，并依据电子迁移率与半导

体掺杂杂质的关系，得到环形电子收集区域的A扇形区域和B扇形区域的掺杂杂质的剂

量分布；

5)根据环形电子收集区域周围的电子迁移率μ，通过迁移率大小和掺杂杂质