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光刻胶，全球前50强生产商排名及市场份额（by QYResearch）.pdf

全球市场研究报告

光刻胶全球市场总体规模

2025年12月，QYResearch发布了《全球半导体光刻胶市场现状及发展研究2025-2031》第三版更新报

告。根据QYResearch的统计及预测，2024年，全球光刻胶（包括半导体光刻胶、显示面板用光刻胶和PCB

光刻胶）市场销售额达到了67亿美元，预计2031年将达到106亿美元，年复合增长率（CAGR）为5.96%

（2025-2031）。

2024年全球半导体光刻胶（包括EUV光刻胶、ArF光刻胶、KrF光刻胶、i/g-Line光刻胶）市场规模为29.91

亿美元，预计2031年将达到48.83亿美元，年复合增长率（CAGR）为6.54%（2025-2031）。

2024年全球显示面板用光刻胶（包括彩色光刻胶、黑色光刻胶、触摸屏光刻胶和TFT-LCD光刻胶）市场规

模为18.10亿美元，预计2031年将达到24.56亿美元，年复合增长率（CAGR）为3.67%（2025-2031）。

2024年全球PCB用光刻胶（包括干膜光刻胶、阻焊油墨、湿膜光刻胶）市场规模为18.98亿美元，预计

2031年将达到29.93亿美元，年复合增长率（CAGR）为7.1%（2025-2031）。

消费层面来说，目前中国是全球最大的光刻胶消费市场，2024年占有34.7%的市场份额，之后是中国台湾

地区和韩国，分别占有20.67%和19.36%。

生产端来看，日本、北美、中国台湾、韩国和中国大陆地区，是主要的光刻胶生产地区，2024年分别占有

53.93%、8.54%、11.50%、9.36%和9.01%的市场份额，预计未来几年，中国市场将保持最快增速，预计

2031年份额将达到12.43%。

从产品类型方面来看，半导体光刻胶是最大的细分产品，2024年占光刻胶市场份额为44.64%，预计2031

年份额将达到47.26%，未来几年（2025-2031）半导体光刻胶CAGR大约为6.54%。

从全球半导体光刻胶（含配套的显影/清洗等光刻材料）供需结构看，2024–2025年行业呈现“总量温和

修复、结构向先进制程倾斜”的特征：2024年全球半导体光刻胶市场规模为29.91亿美元，预计2031年

将达到48.83亿美元，年复合增长率（CAGR）为6.54%（2025-2031）。其中EUV光刻胶是增速最快的子

类，而KrF/ArF等成熟光刻胶需求则更多由3DNAND层数提升、存储与部分成熟逻辑的产能利用率回升

带动。在供给端，光刻胶是典型“强认证+强工艺耦合”的材料：配方（树脂/溶剂/PAG/淬灭剂等）、涂布

膜厚均匀性、缺陷密度、金属离子控制、与曝光/显影窗口的协同都需要与晶圆厂长周期共同开发与验证，

因此行业集中度天然偏高。日韩美厂商在高端光刻胶（尤其EUV）长期占据关键地位：其中2024年日本厂

商占有全球75%的市场份额、之后是美国厂商12.25%、韩国厂商4.99%、欧洲厂商4.21%。中国本土厂

商2024年只占有2.68%的市场份额。全球头部企业也在持续扩充产能与全球交付体系以服务北美/欧洲/亚

洲客户。

展望未来2–5年，半导体光刻胶的核心增量逻辑将围绕先进逻辑/先进存储的制程演进、EUV/High-NA的

材料迭代、以及先进封装带来的“厚膜/多层光刻”需求扩张展开：一方面，AI/HPC拉动先进逻辑（3nm→

2nm/Å级）产能扩张，关键层的EUV渗透继续提升；High-NAEUV被业内普遍认为将在2026前后进入

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更实质的量产导入窗口，这会把材料端的重点推向“更低随机缺陷（stochastics）、更高分辨/更低LER、

在可接受剂量下的灵敏度提升、以及对新型掩模/曝光条件的适配”，推动EUV光刻胶从传统化学放大型

体系进一步走向金属氧化物（MOR）等新体系与配套工艺协同（例如JSR收购Inpria，强化其EUV金属

氧化物光刻胶布局）。另一方面，存储端在DRAM微缩与3DNAND继续堆叠的过程中，DUV光刻胶仍将

保持“量大且稳定”的基本盘，并在特定工艺环节受益于多重图形化与良率修复需求；同时，先进封装（RDL、