CN106252391B 半导体结构及其制作方法 （联华电子股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN106252391B公告日2021.02.19

(21)申请号201510311627.3

(22)申请日2015.06.09

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN106252391A

(43)申请公布日2016.12.21

(73)专利权人联华电子股份有限公司

地址中国台湾新竹市新竹科学工业园区

(72)发明人冯立伟蔡世鸿刘鸿辉林昭宏黄南元郑志祥

(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所

11105

代理人陈小雯

HO1L29/66(2006.01)

(56)对比文件

CN103247535A,2013.08.14CN104051270A,2014.09.17CN1967812A,2007.05.23

CN102460661A,2012.05.16

审查员杨福华

权利要求书2页说明书6页附图7页

(51)Int.CI.

HO1L

HO1L

29/10(2006.01)

29/78(2006.01)

(54)发明名称

半导体结构及其制作方法

(57)摘要

CN106252391B本发明公开一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构包含一基底，一第一鳍状结构与一第二鳍状结构位于该基底上，一第一绝缘区，位于该第一鳍状结构与该第二鳍状结构之间，一第二绝缘区，位于该第一鳍状结构相对于该第一绝缘区另外一侧的基底中，以及至少一外延层，位于该第一鳍状结构与该第二鳍状结构侧边，其中该外延层具有一底面，该底面至少从该第一鳍状

CN106252391B

B-B

CN106252391B权利要求书1/2页

2

1.一种半导体结构，包含：

基底，包含第一鳍状结构与第二鳍状结构，位于该基底上；

第一绝缘区，位于该第一鳍状结构与该第二鳍状结构之间；

第二绝缘区，位于该第一鳍状结构相对于该第一绝缘区另外一侧的基底中；以及

至少一外延层，位于该第一鳍状结构与该第二鳍状结构侧边，其中该外延层具有一底面，该底面至少从该第一鳍状结构延伸至该第二鳍状结构，且该底面低于该第一绝缘区的一底面以及该第二绝缘区的一顶面，其中该外延层具有一阶梯状剖面侧壁。

2.如权利要求1所述的半导体结构，还包含至少一栅极结构横跨该第一鳍状结构以及该第二鳍状结构，其中该至少一外延层位于该至少一栅极结构的两侧。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其中该栅极结构非对称覆盖部分该第一鳍状结构。

4.如权利要求2所述的半导体结构，其中该栅极结构两侧的外延层的体积大小不同。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第二绝缘区的深度大于该第一绝缘区的深度。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其中该外延层的该底面为一平坦底面，且该外延层还包含两侧壁。

7.如权利要求6所述的半导体结构，其中该平坦底面以及该两侧壁的夹角大于90度。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其中该外延层的底面具有一夹角。

9.一种半导体结构的形成方法，包含：

提供一基底，包含第一鳍状结构与第二鳍状结构位于该基底上；

形成一第一绝缘区，位于该第一鳍状结构与该第二鳍状结构之间；

形成一第二绝缘区，位于该第一鳍状结构相对于该第一绝缘层另外一侧的基底中；以及

形成至少一外延层，位于该第一鳍状结构与该第二鳍状结构侧边，其中该外延层具有一底面，该底面至少从该第一鳍状结构延伸至该第二鳍状结构，且该底面低于该第一绝缘区的一底面以及该第二绝缘区的一顶面，其中该外延层具有一阶梯状剖面侧壁。

10.如权利要求9所述的形成方法，其中形成该第一鳍状结构与该第二鳍状结构于该基底上的方法包含：

形成多个第三鳍状结构于该基底上；

形成一图案化硬掩模层于该基底上，并覆盖部分该第三鳍状结构；以及

进行一蚀刻步骤，将移除部分该第三鳍状结构，部分剩余该第三鳍状结构定义为该第一鳍状结构与该第二鳍状结构。

11.如权利要求10所述的形成方法，还包含形成至少一栅极结构横跨该第一鳍状结构以及该第二鳍状结构，其中该至少一外延层位于该至少一栅极结构的两侧。

12.如权利要求11所述的形成方法，其中上述形成该第一鳍状结构与该第二鳍状结构的步骤在该栅极结构形成之前。

13.如权利要求9所述的形成方法，其中该第一鳍状结构与该第二鳍状结构形成于该基底上之后，该第一绝缘区与该第二绝缘区才形成于该基底中。

14.如权利要求9所述的形成方