CN107203092B 半导体装置的制作方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN107203092B(45)授权公告日2022.06.21

(21)申请号201611187173.4

(22)申请日2016.12.20

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN107203092A

(43)申请公布日2017.09.26

(30)优先权数据

15/071.2432016.03.16US

(51)Int.CI.

GO3F1/56(2012.01)

GO3F1/76(2012.01)

(56)对比文件

CN1713352A,2005.12.28

CN104658892A,2015.05.27审查员胡欢

(73)专利权人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹市

(72)发明人赖韦翰张庆裕

(74)专利代理机构隆天知识产权代理有限公司

72003

专利代理师张福根

权利要求书3页说明书10页附图21页

(54)发明名称

半导体装置的制作方法

(57)摘要

CN107203092B一种半导体装置的制作方法，包括：形成光致抗蚀剂图案于可图案化层上。光致抗蚀剂层包含负型光致抗蚀剂材料。对光致抗蚀剂层进行曝光工艺。对光致抗蚀剂层进行曝光后烘烤工艺。冲洗光致抗蚀剂层以显影光致抗蚀剂图案。施加底漆材料至光致抗蚀剂图案。底漆材料为设置用于使光致抗蚀剂图案轮廓平直化，增加光致抗蚀剂材料的去保护酸敏基团单元数目、或与光致抗蚀剂材料的去保护酸敏基团单元键结。在施加底漆材料后，涂布收缩材料于光致抗蚀剂图案上、烘烤收缩材料、以及移除部分的收缩材料以增大

CN107203092B

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CN107203092B权利要求书1/3页

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1.一种半导体装置的制作方法，其特征在于，包括：

形成一光致抗蚀剂图案于一材料层上，其中该光致抗蚀剂图案的形成步骤包括一曝光工艺、一曝光后烘烤工艺、与使用一有机显影剂的一显影工艺，该有机显影剂包含乙酸正丁酯，其中该光致抗蚀剂图案具有一基脚轮廓或一T顶轮廓，其中该基脚轮廓的一顶部横向尺寸小于一底部横向尺寸，该T顶轮廓的一顶部横向尺寸大于一底部横向尺寸；

在进行该显影工艺之后，施加一底漆材料至该光致抗蚀剂图案，其中该底漆材料包含一溶剂，该溶剂比该有机显影剂更亲水，且该溶剂的偶极矩比乙酸正丁酯的偶极矩高，其中该底漆材料的施加减少该基脚轮廓或该T顶轮廓；以及

在施加该底漆材料至该光致抗蚀剂图案之后，涂布一收缩材料于该光致抗蚀剂图案上，其中该收缩材料横向加大该光致抗蚀剂图案并缩小该光致抗蚀剂图案之间的多个间

隙。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其特征在于，形成该光致抗蚀剂图案的步骤包括形成多个光致抗蚀剂图案，且其中施加该底漆材料的步骤和涂布该收缩材料的步骤执行于该些光致抗蚀剂图案；

其中该半导体装置的制作方法更包括：

在形成该收缩材料于该些光致抗蚀剂图案上之后，烘烤该些光致抗蚀剂图案，其中该烘烤步骤使该些光致抗蚀剂图案与该收缩材料之间产生反应，使该些光致抗蚀剂图案各自增加宽度；

之后，显影该些光致抗蚀剂图案，其中显影该些光致抗蚀剂图案的步骤包括移除该收缩材料未反应的部分；以及

之后，以显影后的该些光致抗蚀剂图案，图案化该材料层。

3.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其特征在于，该底漆材料设置以在涂布该收缩材料前，先使该光致抗蚀剂图案的该基脚轮廓或该T顶轮廓平直化。

4.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其特征在于，施加该溶剂的步骤包括施加烷基醇R1-OH,其中R1为C1至C7烷基。

5.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其特征在于，施加该溶剂的步骤包含施加烷基酯R2COOR3,其中R2与R3各自为C2-C6烷基。

6.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其特征在于，该底漆材料更设置以增加该光致抗蚀剂图案的去保护的酸敏基团单元的数目。

7.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其特征在于，施加该底漆材料的步骤包括施加酸。

8.如权利要求7所述的半导体装置的制作方法，其特征在于，施加酸的步骤包括施加磺酸、硫酸、盐酸、或醋酸。

9.如权利要求7所述的半导体装置的制作方法，其特征在于，更包括：在涂布该收缩材料前，先烘烤该底漆材料与该光致抗蚀剂图案。

10.如权