CN113169255B Iii族氮化物半导体发光元件及其制造方法 (同和电子科技有限公司).docxVIP

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  • 2026-03-08 发布于山西
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CN113169255B Iii族氮化物半导体发光元件及其制造方法 (同和电子科技有限公司).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN113169255B

(45)授权公告日2025.05.16

(21)申请号201980082293.3

(22)申请日2019.12.11

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN113169255A

(43)申请公布日2021.07.23

(30)优先权数据

2018-2342162018.12.14JP

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2021.06.11

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/JP2019/0485372019.12.11(87)PCT国际申请的公布数据

WO202

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