GaN功率器件动态特性优化技术研发项目可行性研究报告
第一章总论
项目概要
项目名称:GaN功率器件动态特性优化技术研发项目
建设单位:深圳芯能半导体技术有限公司于2023年5月在深圳市南山区市场监督管理局注册成立,属有限责任公司,注册资本金5000万元人民币。主要经营范围包括半导体器件研发、生产及销售;集成电路设计;电子元器件制造;半导体技术咨询与服务(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)。
建设性质:新建
建设地点:广东省深圳市南山区高新科技产业园
投资估算及规模:本项目总投资估算为38650万元,其中一期工程投资22300万元,二期工程投资16350万元。一期工程建
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