CN107611185A 一种p型双面电池核心的BIPV双面组件及其制作方法 （江苏科来材料科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN107611185A

(43)申请公布日2018.01.19

(21)申请号201710809556.9

(22)申请日2017.09.08

(71)申请人江苏科来材料科技有限公司

地址215500江苏省苏州市常熟市联丰路

58号常熟经济开发区高新技术产业园管委会大楼七楼715

(72)发明人蓝家平陆森荣

(74)专利代理机构苏州华博知识产权代理有限公司32232

代理人何蔚

(51)Int.CI.

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31/0224(2006.01)31/048(2014.01)31/18(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图6页

(54)发明名称

一种p型双面电池核心的BIPV双面组件及其制作方法

(57)摘要

CN107611185A本发明公开一种p型双面电池核心的BIPV双面组件及其制作方法，该BIPV双面组件包括：上层玻璃、下层玻璃、设置于上层玻璃与下层玻璃之间的多个p型双面电池以及与p型双面电池连接的分体式接线盒；p型双面电池从正面至背面方向依次包括：正面金属栅线电极、正面钝化减反层、n层、p型硅片、p+层、背面钝化层以及背面金属栅线电极；正面钝化减反层为氮化硅钝化减反膜；p型硅片的正面设有绒面；背面钝化层包括氧化铝层和氮化硅层，氧化铝和氮化硅依次层叠设置于p+层上；背面金属栅线电极包括：H状栅极以及背电极，H状栅极包括主栅线以及副栅线。本

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CN107611185A权利要求书1/2页

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1.一种p型双面电池核心的BIPV双面组件，其特征在于，包括：上层玻璃、下层玻璃、设置于所述上层玻璃与所述下层玻璃之间的多个p型双面电池以及与所述p型双面电池连接的分体式接线盒；

所述p型双面电池从正面至背面方向依次包括：正面金属栅线电极、正面钝化减反层、n层、p型硅片、p+层、背面钝化层以及背面金属栅线电极；

所述正面钝化减反层为氮化硅钝化减反膜；

所述p型硅片的正面设有绒面；

所述背面钝化层包括氧化铝层和氮化硅层，氧化铝和氮化硅依次层叠设置于所述p+层上；

所述背面金属栅线电极分别包括：H状栅极以及背电极，所述H状栅极包括主栅线以及副栅线，所述主栅线的宽度大于所述背电极的宽度并包裹所述背电极。

2.根据权利要求1所述的p型双面电池核心的BIPV双面组件，其特征在于，所述氧化铝层的厚度为5～30nm,所述氮化硅层的厚度为60～130nm;所述正面钝化减反层的厚度为60~100nm。

3.根据权利要求2所述的p型双面电池核心的BIPV双面组件，其特征在于，所述主栅线的根数为3～15根，所述副栅线的根数为100～200根。

4.根据权利要求3所述的p型双面电池核心的BIPV双面组件，其特征在于，在所述p型硅片的正、反面分别设有重掺杂区和轻掺杂区，而所述正面金属栅线电极设置于所述p型硅片正面的重掺杂区，所述背面金属栅线电极设置于所述p型硅片背面的重掺杂区。

5.根据权利要求4所述的p型双面电池核心的BIPV双面组件，其特征在于，所述重掺杂区为在所述p型硅片正面或反面开槽后掺杂后形成，该槽的截面呈V形或梯形。

6.一种p型双面电池核心的BIPV双面组件的制作方法，其特征在于，用于制备如权利要求1-5任一项所述的p型双面电池核心的BIPV双面组件，具体包括以下步骤：

1)对p型硅片进行抛光去损伤处理，去损量为3～15um;

2)将两片步骤1)得到的p型硅片背靠背放置后，将其放置在硼掺杂源的氛围中扩散或采用旋涂方式进行掺杂；

3)链式清洗设备去除步骤2)得到的p型硅片的硼硅玻璃，在p型硅片的背面形成p+层；

4)在步骤3)得到的p型硅片的正面制备纳米绒面；

5)在步骤4)得到的p型硅片的正面进行磷离子掺杂，在p型硅片的正面形成n层，制备pn结；

6)在步骤5)得到的p型硅片的背面制备背面钝化层；

7)在步骤6)得到的p型硅片的正面制备正面钝化减反层；

8)在步骤7)得到的p型硅片的背面进行激光开槽，开槽图形为平行等间距的线条，宽度为30～50um,线数为100～200根；

9)在步骤8)得到的p型硅片的背面印刷背面金属栅线电极，主栅线的宽度大于背电极的宽度并包裹背电极，主栅线根数为3～15根，副栅线与步骤7)中激光开槽处一一对齐，副栅线的宽度大于激光开槽的宽度，副栅线的宽度为6