CN106098780B 集成温度传感器的碳化硅vdmos器件及其制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN106098780B

(45)授权公告日2019.04.12

(21)申请号201610599805.1

(22)申请日2016.07.27

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN106098780A

(43)申请公布日2016.11.09

(73)专利权人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)

西源大道2006号

(72)发明人邓小川宋凌云陈茜茜柏思宇张波

(74)专利代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232

代理人敖欢葛启函

(51)Int.CI.

H01L29/78(2006.01)

HO1L21/336(2006.01)

(56)对比文件

CN103489917A,2014.01.01,

CN101540321A,2009.09.23,

US2005/0012143A1,2005.01.20,审查员张伟兵

权利要求书2页说明书4页附图8页

(54)发明名称

集成温度传感器的碳化硅VDMOS器件及其制

作方法

(57)摘要

CN106098780B本发明提供一种集成温度传感器