2)化学气相沉积化学气相沉积(CVD)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术,包括大范围的绝缘材料,大多数金属材料和金属合金材料。从理论上来说,它是很简单的:两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内,然后他们相互之间发生化学反应,形成一种新的材料,沉积到晶片表面上。沉积氮化硅膜(Si3N4)就是一个很好的例子,它是由硅烷和氮反应形成的。
化学气相沉积的优点准确控制薄膜的组分和掺杂水平可在复杂的衬底上沉积薄膜不需要昂贵的真空设备高可改善结晶完整性可在大尺寸基片上沉积薄膜例子:硅的气相外延生长将硅衬底在还原性气氛中加热,并输入硅源气体,使之反应,生成硅原子
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