CN106098691A 反熔丝结构、反熔丝存储器及其制作方法 （珠海创飞芯科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN106098691A

(43)申请公布日2016.11.09

(21)申请号201610490086.X

(22)申请日2016.06.24

(51)Int.CI.

HO1L

27/112(2006.01)

(30)优先权数据

HO1L

21/8246(2006.01)

15/089,1082016.04.01US

HO1L

HO1L

27/115(2006.01)21/8247(2006.01)

(66)本国优先权数据

201510382110.32015.07.01CN

(71)申请人珠海创飞芯科技有限公司

地址519000广东省珠海市唐家湾镇大学

路101号清华科技园(珠海)创业大楼A

座A906

(72)发明人李立王志刚

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227

代理人王宝筠

权利要求书6页说明书18页附图6页

(54)发明名称

反熔丝结构、反熔丝存储器及其制作方法

(57)摘要

CN106098691A本申请提供了一种反熔丝结构、反熔丝存储器及其制作方法，采用至少一层高介电常数K介质层作为反熔丝层，仅需薄薄的一层即可