半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法标准立项修订与发展报告.docx

*

《半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试非接触涡流法》标准修订发展报告

EnglishTitle:DevelopmentReportontheRevisionoftheStandard“TestMethodsforResistivityofSemiconductorWafersandSheetResistanceofSemiconductorFilmsbyNoncontactEddy-CurrentGauge”

摘要

随着第三代半导体材料（如碳化硅、氮化镓）的产业化进程加速，以及以砷化镓为代表的化合物半导体在射频、光电子等领域的广泛应用，对半导体单晶材料电学性能的精确、高效、无损检测提出了更高要求。电阻率作为衡量半导体材料纯度、掺杂浓度及导电能力的最核心参数之一，其测试方法的标准化与先进性直接关系到材料质量评估、器件设计与工艺控制的可靠性。现行国家标准GB/T6616-2009《半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法》主要针对硅材料，已无法满足当前宽禁带半导体及化合物半导体产业发展的迫切需求。本报告旨在系统阐述对该标准进行修订的目的、意义、范围及主要技术内容。本次修订的核心在于将非接触涡流法的适用范围从硅材料扩展至低阻砷化镓和低阻碳化硅单晶，同步更新方法原理、仪器要求、测试步骤、精密度数据及环境条件等关