CN105841725A 基于光栅耦合的可见光单片集成传感器及其制作方法 （南京邮电大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN105841725A

(43)申请公布日2016.08.10

(21)申请号201610180054.X

(22)申请日2016.03.26

(71)申请人南京邮电大学

地址210023江苏省南京市亚东新城区文

苑路9号

(72)发明人刘启发张帆丁梦雪

(74)专利代理机构江苏爱信律师事务所32241代理人唐小红

(51)Int.CI.

G01D5/38(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图2页

(54)发明名称

基于光栅耦合的可见光单片集成传感器及其制作方法

(57)摘要

CN105841725A本发明公开了基于光栅耦合的可见光单片集成传感器及其制作方法，本方案的单片集成是利用分别在光源区和探测区的耦合光栅，实现将有源区和无源区的光子衍射导入导出来完成的。该器件的传感原理是通过周围介质对悬空的平面波导内光子的传输损耗与介质折射率的关系来实现的。通过微纳加工正面刻蚀III-V族化合物材料实现耦合光栅和平面光子波导，并结合正面或背面释放硅基底和减薄III-V族化合物材料的微纳刻蚀方法来制备该单片集成传感器。本发明所公开的传感器的特点是具有灵敏传感响应的、便捷的微型单芯片传感器，并以此可以实现

CN105841725A

CN105841725A权利要求书1/1页

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1.基于光栅耦合的可见光单片集成传感器，其特征在于，包括如下结构：量子阱有源发光区、光子耦合区、平面光子传感区、量子阱有源探测区，传感器基底为硅基底，在其上依次为III-V族化合物材料构成的缓冲层、底层氮化镓、量子阱、顶层氮化镓。

2.如权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述量子阱有源发光区和量子阱有源探测区分别位于器件的两端，在顶层氮化镓和底层氮化镓的特定区域为金属电极，分别由这一对电极的P-N结电驱动量子阱的发光和探测。

3.如权利要求1所述的传感器，其特征在于，在量子阱有源发光区和量子阱有源探测区之间为悬空结构，该悬空结构区域下层的硅被掏空以及悬空结构的背面被减薄，该悬空结构区域正面是刻蚀氮化镓形成的平面波导结构。

4.如权利要求1或2所述的传感器，其特征在于，在量子阱有源发光区和量子阱有源探测区上方氮化镓表面刻蚀出微纳槽型结构组成的耦合光栅，其集成了有源区和无源区，实现了两者之间光子的导入导出。

5.如权利要求1所述的传感器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)将硅衬底氮化镓有源晶片进行预处理；

2)在氮化镓表面覆盖掩膜层，露出需要刻蚀氮化镓的区域；

3)刻蚀氮化镓，去除掩膜层，形成图形化的氮化镓；

4)选择性掩膜氮化镓表面，露出要完全刻蚀上层，氮化镓和量子阱的区域，进行这些区域的下层氮化镓以上的III-V族材料的完全刻蚀；去除掩膜层；

5)在上层和下层氮化镓的表面特定区域沉积并图形化电极；

6)再次选择性掩膜氮化镓表面，露出要完全刻蚀掉III-V族的区域，进行这些区域的硅以上的III-V族材料的完全刻蚀，并去除掩膜层；然后用湿法刻蚀的方法正面释放III-V族下的硅，形成悬空的III-V族结构；也可继续用正面的湿法或干法刻蚀方法在掏空的区域向上减薄III-V族，形成悬空的厚度可控的III-V族结构。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，在步骤5)之后，还可以如下方法来代替步骤6):正面全部掩膜氮化镓表面，背面选择性掩膜硅基底表面，露出要释放硅基底的区域，用湿法刻蚀或干法刻蚀方法，完全释放该区域的硅基底，也可继续刻蚀III-V族，形成悬空的厚度可控的III-V族结构；去除上层和下层的掩膜层。

CN105841725A说明书1/4页

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基于光栅耦合的可见光单片集成传感器及其制作方法

技术领域

[0001]本发明属于传感器件类领域，具体涉及的是利用光栅耦合的方法实现有源和无源单片集成的基于可见光的传感器。

背景技术

[0002]在实现更小更高效的下一代光电子器件技术热潮的引领下，III-V族化合物半导体材料尤其是氮化镓，近年来受到了越来越多的关注。氮化镓具有宽的直接带隙(3.39eV),是制作LE