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基于第一性原理的ZnO电子结构与基本属性深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的大家族中，氧化锌（ZnO）凭借其独特的物理性质和广泛的应用前景，占据着极为重要的地位。ZnO作为一种直接宽带隙半导体材料，室温下禁带宽度约为3.37eV，同时拥有高达60meV的激子束缚能，这一数值远高于ZnS的22meV和GaN的25meV，也高于室温下的热离化能。这些特性赋予了ZnO在光电器件领域的巨大优势，使其适合制作高效率蓝色、紫外发光和探测器等光电器件。例如，在紫外探测器的应用中，基于ZnO的探测器展现出高灵敏度、快速响应的特点，能够有效地探测到紫外光