CN104952778B 一种等离子体处理装置及静电卡盘与静电卡盘的制作方法 （中微半导体设备(上海)有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN104952778B公告日2018.05.25

(21)申请号201410124425.3

(22)申请日2014.03.28

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN104952778A

(43)申请公布日2015.09.30

(73)专利权人中微半导体设备(上海)有限公司地址201201上海市浦东新区金桥出口加

工区(南区)泰华路188号

(72)发明人何乃明吴狄倪图强

(74)专利代理机构上海智信专利代理有限公司

31002

代理人王洁

(51)Int.CI.

HO1L21/683(2006.01)

H01J37/32(2006.01)

审查员周忠饶

权利要求书3页说明书5页附图2页

(54)发明名称

一种等离子体处理装置及静电卡盘与静电卡盘的制作方法

(57)摘要

CN104952778B本发明提供一种等离子体处理装置、其静电卡盘及静电卡盘的制作方法，所述静电卡盘包括金属基座，金属基座上方设置加热装置，加热装置上方设置导热板，导热板上方设置陶瓷绝缘层，通过设置加热装置和导热板距离基片的高度不同，以及在陶瓷绝缘层和导热板之间设置厚度可控的导热粘胶层，实现对陶瓷绝缘层表面温度均匀或具有特定温度梯度的多参数调节。本发明除了可以调节加热装置的电源功率外，还可以通过调节不同加热区加热装置的高度落差，不同加热区导热板的厚度，以及陶瓷绝缘层和导热板之间导热粘胶层的厚度来实现对陶瓷绝缘层表面温度的调节，大大增加了静电卡盘的温度可控

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气体供应装置

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CN104952778B权利要求书1/3页

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1.一种等离子体处理装置，包括一真空反应腔，所述真空反应腔内设置一支撑固定基片的静电卡盘，所述静电卡盘包括一金属基座，其特征在于：所述金属基座包括一上表面，所述上表面至少位于两个水平面内；

所述金属基座上方设置加热装置，所述加热装置包括至少第一加热区元件和第二加热区元件，所述第一加热区元件和第二加热区元件分别位于所述金属基座上表面的不同水平面上方；

所述加热装置上方设置导热板，所述导热板包括位于所述第一加热区元件上方的第一加热区导热板和位于第二加热区元件上方的第二加热区导热板，所述第一加热区导热板和所述第二加热区导热板的上表面位于不同水平面内；

一陶瓷绝缘层位于所述第一加热区导热板和所述第二加热区导热板上方，所述陶瓷绝缘层用于支撑固定所述基片。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述陶瓷绝缘层包括与所述基片接触的上表面和与所述导热板接触的下表面，所述陶瓷绝缘层的下表面包括若干凸起，所述凸起之间形成若干缝隙。

3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述凸起位于所述第一加热区导热板上方的所述陶瓷绝缘层的下表面上，和/或位于所述第二加热区导热板上方的所述陶瓷绝缘层的下表面上。

4.根据权利要求2或3所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述陶瓷绝缘层和所述导热板之间设有粘胶材料，所述粘胶材料填充于所述缝隙之间，所述凸起的高度等于所述粘胶材料厚度。

5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述粘胶材料为硅胶、含氟聚合物中的一种或两种。

6.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述加热装置和所述导热板之间设置绝缘层，不同加热区对应的所述绝缘层厚度相同或不相同。

7.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述加热装置和所述金属基座之间设置绝缘层，不同加热区对应的所述绝缘层厚度相同或不相同。

8.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：第一加热区元件和所述第二加热区元件之间设置隔热槽，所述隔热槽内设置真空或隔热材料。

9.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述第一加热区导热板和所述第二加热区导热板厚度为相同或不相同，二者之间为连续或不连续设置。

10.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述加热装置为加热丝或加热材料涂层。

11.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述金属基座内部设置若干冷却渠道，所述冷却渠道位于不同水平面内。

12.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述导热板的材料为金属材质或陶瓷材质。

13.根据权利要求