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- 2026-03-10 发布于重庆
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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN104966771A
(43)申请公布日2015.10.07
(21)申请号201510322480.8
(22)申请日2015.06.13
(71)申请人温州生物材料与工程研究所
地址325011浙江省温州市高新区文昌路
156号
(72)发明人邱彩玉丁雯张新娟徐一梦
(74)专利代理机构杭州求是专利事务所有限公
司33200代理人韩介梅
(51)Int.CI.
HO1LHO1L
33/26(2010.01)
33/00(2010.01)
权利要求书1页说明书3页附图1页
(54)发明名称
一种石墨烯-氮化硼一氮化镓LED芯片及其制作方法
(57)摘要
CN104966771A本发明公开了一种石墨烯-氮化硼-氮化镓LED芯片,在衬底上自下而上依次有氮化镓层、氮化硼层和石墨烯层,还包括第一电极和第二电极。本发明的LED芯片中石墨烯层及氮化硼层均具有较低的光吸收系数,这有助于LED芯片获得更高的出光效率;且本发明的LED芯片正向通电以及反向通电均可以发光,并具有不同的发光光谱。此外,相比于传统氮化镓LED芯片的制备
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