CN104966771A 一种石墨烯氮化硼氮化镓led芯片及其制作方法 (温州生物材料与工程研究所).docxVIP

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  • 2026-03-10 发布于重庆
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CN104966771A 一种石墨烯氮化硼氮化镓led芯片及其制作方法 (温州生物材料与工程研究所).docx

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN104966771A

(43)申请公布日2015.10.07

(21)申请号201510322480.8

(22)申请日2015.06.13

(71)申请人温州生物材料与工程研究所

地址325011浙江省温州市高新区文昌路

156号

(72)发明人邱彩玉丁雯张新娟徐一梦

(74)专利代理机构杭州求是专利事务所有限公

司33200代理人韩介梅

(51)Int.CI.

HO1LHO1L

33/26(2010.01)

33/00(2010.01)

权利要求书1页说明书3页附图1页

(54)发明名称

一种石墨烯-氮化硼一氮化镓LED芯片及其制作方法

(57)摘要

CN104966771A本发明公开了一种石墨烯-氮化硼-氮化镓LED芯片,在衬底上自下而上依次有氮化镓层、氮化硼层和石墨烯层,还包括第一电极和第二电极。本发明的LED芯片中石墨烯层及氮化硼层均具有较低的光吸收系数,这有助于LED芯片获得更高的出光效率;且本发明的LED芯片正向通电以及反向通电均可以发光,并具有不同的发光光谱。此外,相比于传统氮化镓LED芯片的制备

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