CN104752349B 一种制作半导体器件的方法 (中芯国际集成电路制造(上海)有限公司).docxVIP

  • 0
  • 0
  • 约1.86万字
  • 约 37页
  • 2026-03-11 发布于重庆
  • 举报

CN104752349B 一种制作半导体器件的方法 (中芯国际集成电路制造(上海)有限公司).docx

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN104752349B公告日2018.08.21

(21)申请号201310732641.1

(22)申请日2013.12.26

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN104752349A

(43)申请公布日2015.07.01

(73)专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

地址201203上海市浦东新区张江路18号

(72)发明人赵杰

(74)专利代理机构北京市磐华律师事务所

11336

代理人董巍高伟

(51)Int.CI.

HO1L21/8238(2006.01)

HO1L21/28(2006.01)

(56)对比文件

CN102103994A,2011.06.22,说明书第41-58段.

US2010081262A1,2010.04.01,全文.

CN102969347A,2013.03.13,全文.

CN103021949A,2013.04.03,说明书第28-54段,图2-13.

审查员周文龙

权利要求书2页说明书9页附图7页

(54)发明名称

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档