CN102185005A 一种选择性发射极电池的制作方法 （江阴浚鑫科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102185005A

(43)申请公布日2011.09.14

(21)申请号201010510257.3

(22)申请日2010.10.18

(71)申请人江阴浚鑫科技有限公司

地址214443江苏省无锡市江阴市申港镇镇

澄路1011号

(72)发明人张忠钱明星

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227

代理人逯长明王宝筠

(51)Int.CI.

HO1L31/18(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图3页

(54)发明名称

一种选择性发射极电池的制作方法

提供一半导体基底在所述半导体基底上制绒

提供一半导体基底

在所述半导体基底上制绒

对所述半导体基底进行扩散掺杂，在半导体基底正面形成扩散层

对扩散后的半导体基底进行去边处理

在扩散层表面形成与栅线对应的银浆电极，并在半导体基底底面形成背电极和背电场

在银浆电极表面电镀导电金属

以导电金属作为掩膜，刻蚀去除半导体基底正面暴露的高掺杂浓度层

在半导体基底正面沉积减反射膜

去除导电金属待电极焊接部分顶面上的减反射膜

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