CN102709320B 纵向导通的GaN基MISFET 器件及其制作方法 （中山大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN102709320B(45)授权公告日2014.09.24

(21)申请号201210033746.3

(22)申请日2012.02.15

(73)专利权人中山大学

地址510275广东省广州市新港西路135号

(72)发明人刘扬倪毅强张佰君

(74)专利代理机构广州粤高专利商标代理有限公司44102

代理人林丽明

(51)Int.CI.

HO1L29/778(2006.01)

HO1L29/06(2006.01)

HO1L21/335(2006.01)

(56)对比文件

CN102332469A,2012.01.25,全文.

US2010/0159656A1,2010.06.24,全文.

US2006/0220060A1,2006.10.05,全文.JP201135066A,2011.02.17,全文.

CNJP

102184956

201182445

A,2011.09.14,全文.

A,2011.04.21,全文.

审查员陈树华

权利要求书2页说明书5页附图3页

(54)发明名称