CN102184925A 一种应变动态随机存储器存储单元结构及制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102184925A

(43)申请公布日2011.09.14

(21)申请号201110102927.2

(22)申请日2011.04.25

(71)申请人电子科技大学

地址610054四川省成都市建设北路二段4

号电子科技大学

(72)发明人王向展于奇宁宁秦桂霞曾庆平

(74)专利代理机构成都科海专利事务有限责任公司51202

代理人盛明洁

(51)Int.CI.

HO1L27/108(2006.01)

HO1L21/8242(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图4页

(54)发明名称

一种应变动态随机存储器存储单元结构及制作方法

(57)摘要

CN102184925A一种应变动态随机存储器存储单元结构及制作方法，涉及半导体材料中应变增强晶体管结构及制作方法，特别是DRAM存储单元的结构及制作方法。本发明提供的DRAM存储单元包含有开关MOS晶体管9和单元电容10,其特征在于在单元电容10所在区域引入应变氮化硅盖帽层8,以减小单元电容下极板4和上极板7半导体材料的禁带宽度，增大其电荷密度，减小单元电容两极板间的等效间距，从而增大单元电容的电容值；在保证电容值一定的条件下，存储单元的占用面积减小，增大DRAM

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