CN102629624A 基于GaN的MIS栅增强型HEMT器件及制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102629624A

(43)申请公布日2012.08.08

(21)申请号201210131041.5

(22)申请日2012.04.29

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人张进成张琳霞郝跃马晓华王冲霍晶艾姗党李莎

孟凡娜姜腾赵胜雷

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华朱红星

(51)Int.CI.

HO1L29/778(2006.01)

HO1L29/06(2006.01)

HO1L21/336(2006.01)

权利要求书2页说明书10页附图2页

(54)发明名称

基于GaN的MIS栅增强型HEMT器件及制作方法

棚极10

棚极10介质7

漏9

A1GaN次势垒层

CaN冲层5

第二导电沟道17

势垒层KEALGaA主势鱼层少

e饮皱”

冲层5请整ZTE层15

第三2DBGGaN主缓冲层3层14